[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201110265728.3 | 申请日： | 2006-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN102324405A | 公开（公告）日： | 2012-01-18 |
| 发明（设计）人： | 池田靖;中村真人;松吉聪;佐佐木康二;平光真二 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L23/488;B23K35/26;H05K3/34;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，
所述半导体装置具有半导体元件、被连接部件和连接所述被连接部件的连接部件，且所述连接部件为钎料，
所述被连接部件在与所述连接材料连接的表面上形成有所述Ni层，
所述连接部件为Sn类钎料，含有Cu6Sn5化合物和以Cu6Sn5之外的成分为主成分的Sn类钎料相，
所述Ni层的与所述连接部件连接的区域被所述Cu6Sn5化合物被覆，
所述Cu6Sn5化合物一方面与所述Sn类钎料相连接，另一方面通过所述Ni层与所述被连接部件连接。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述被连接部件的与所述连接部件连接的整个区域，被所述Ni层及与所述Cu6Sn5化合物的叠层覆盖。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述被连接部件的与所述连接部件连接的整个区域，被所述Ni层覆盖。
4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述Cu6Sn5化合物是保护所述Ni层及所述被连接部件的隔离层，使它们与所述Sn类钎料相隔离。
5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述Sn类钎料相是Cu为0.9wt％以上的Sn-Cu类钎料。
6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述Sn类钎料相是Cu为3～7wt％以上的Sn-Cu类钎料。
7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述连接部件是Sn-Cu二相钎料。
8.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述连接部件连接所述被连接部件和所属半导体元件。
9.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述连接部件连接所述被连接部件和其他被连接部件。
10.如权利要求8或9所述的半导体装置，其特征在于，
所述被连接部件为Cu制。
11.如权利要求8或9所述的半导体装置，其特征在于，
所述被连接部件为电极。
12.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，
所述其他被连接部件是热膨胀率差缓冲材料，所述热膨胀率差缓冲材料的热膨胀率比所述被连接部件小、比所述半导体元件大。
13.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，
所述其他被连接部件在与所述连接部件连接的表面上形成Ni层，
所述连接部件为Sn类钎料，含有Cu6Sn5化合物和以Cu6Sn5之外的成分为主成分的Sn类钎料相，
所述Ni层的与所述连接部件连接的区域被所述Cu6Sn5化合物被覆，
所述Cu6Sn5化合物一方面与所述Sn类钎料相连接，另一方面通过所述Ni层与所述其他被连接部件连接。
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