[发明专利]半导体发光元件

说明书

相关申请的交叉引用：本申请基于2011年4月26日申请的日本国特许申请2011-098374，并主张优先权，本申请通过援引而包括该基础申请的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及半导体发光元件。

背景技术

用于照明装置、显示装置、信号器等中的发光元件(LED：Light Emitting Diode：发光二极管)要求高输出化。

在发光层的下方设置反射金属层，若将从发光层朝向下方的放出光向上方反射则能够提高光取出效率。

然而，例如，若从反射金属层侧的电极注入的电流在横向上过于扩散，则发光层中的有效电流注入密度降低，从而发光效率降低。因此难以得到较高的光输出。

发明内容

本发明的实施方式提供向发光区域的电流注入密度以及发光效率较高的半导体发光元件。

实施方式的半导体发光元件具有：支撑基板；第一电极，设置于上述支撑基板之上；第一导电型层，设置于上述第一电极之上；发光层，设置于上述第一导电型层之上；第二导电型层，设置于上述发光层之上；以及第二电极，设置于上述第二导电型层之上。上述第一导电型层从上述第一电极侧开始依次至少具有：第一接触层、具有比上述第一接触层的杂质浓度低的杂质浓度的窗层、以及第一包覆层。第二导电型层从上述发光层侧开始依次至少具有：第二包覆层、电流扩散层、以及第二接触层。上述第二电极具有：细线部，在上述第二接触层之上延伸；以及焊盘部，设置于未形成上述第二接触层的区域，与上述细线部电连接。上述第一接触层和上述窗层的带隙能量分别比上述发光层的带隙能量大。上述第一接触层在上述窗层与上述第一电极之间选择性地设置，从上方观察，上述第一接触层与上述第二接触层不重叠地设置。

支撑基板；第一电极，设置在上述支撑基板上；第一导电型层，设置在上述第一电极上；发光层，设置在上述第一导电型层上；第二导电型层，设置在上述发光层上；第二电极，设置在上述第二导电型层上。上述第一导电型层从上述第一电极侧按以下顺序至少具有：第一接触层；窗层，具有比上述第一接触层的杂质浓度低的杂质浓度；第一包覆层。上述第二导电型层从上述发光层侧按下述顺序至少具有：第二包覆层；电流扩散层；第二接触层。上述第二电极具有：细线部，延伸至上述第二接触层上；焊盘部，设置在未形成上述第二接触层的区域，并与上述细线部电连接。上述第一接触层以及上述窗层的带隙能量分别比上述发光层的带隙能量大。在上述窗层与上述第一电极之间选择性地设置有上述第一接触层，从上方观察，上述第一接触层与上述第二接触层设置为不重叠。

根据本发明的实施方式，能够提供向发光区域的电流注入密度及发光效率较高的半导体发光元件。

附图说明

图1(a)是第一实施方式的半导体发光元件的示意俯视图，图1(b)是沿A-A线的示意剖视图。

图2是第一实施方式的变形例的半导体发光元件的示意俯视图。

图3(a)～图3(f)是第一实施方式的半导体发光元件的制造方法的工序剖视图，图3(a)是半导体层的示意图，图3(b)是对第一接触层刻画图案的示意图，图3(c)是形成了ITO的示意图，图3(d)是晶片接合的示意图，图3(e)是对第二接触层刻画图案的示意图，图3(f)是分割后的元件的示意图。

图4是比较例的半导体发光元件的示意剖视图。

图5是第二实施方式的半导体发光元件的示意剖视图。

图6(a)是第三实施方式的半导体发光元件的示意俯视图，图6(b)是沿B-B线的示意剖视图。

具体实施方式

在下文中，参照附图对本发明的实施方式进行说明。

图1(a)是第一实施方式的半导体发光元件的示意俯视图，图1(b)沿A-A线的示意剖视图。

半导体发光元件具有：支撑基板10；第一电极20，设置在支撑基板10之上；半导体层58，设置在第一电极20之上。半导体层58至少包括：发光层40、窗层34、第一接触层32。此外，窗层34与第一电极20的一部分相接触。另外，在本说明书中，所谓“窗层”是指具有比发光层40的带隙能量(band-gap energy)大的带隙能量、能够使来自发光层的光透射的层。

第一接触层32在窗层34与第一电极20之间选择性地设置。而且，第一接触层32与窗层34及第一电极20相接触，具有比窗层34的导电率高的导电率。这样，第一电极20与第一接触层32的接触电阻能够比第一电极20与窗层34的接触电阻低。因此，第一电极20能够经由第一接触层32向窗层34注入载流子。