[发明专利]一种淀积SONOS 存储器隧穿氧化层的方法无效
| 申请号： | 201110265324.4 | 申请日： | 2011-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN102569051A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 黄奕仙;杨斌 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/285 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 sonos 存储器 氧化 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种淀积SONOS 存储器隧穿氧化层的方法，其特征在于，具体步骤包括：
步骤a、于一硅衬底上以原位水气生成工艺淀积形成一层氧化硅层；
步骤b、对所述氧化硅层进行氮化，形成氮化层；
步骤c、于所述氮化层表面形成一层氮化硅存储介质层；
步骤d、于所述氮化硅存储介质层表面形成一层第二氧化硅层；
步骤e、于所述第二氧化硅层上形成多晶硅栅。
2.如权利要求1所述淀积SONOS 存储器隧穿氧化层的方法，其特征在于，所述步骤b中氮化所述氧化硅层的方法为去耦离子氮化工艺。
3.如权利要求1所述淀积SONOS 存储器隧穿氧化层的方法，其特征在于，所述步骤c中所述氮化硅存储介质层的形成方法为低压化学汽相淀积法。
4.如权利要求1所述淀积SONOS 存储器隧穿氧化层的方法，其特征在于，所述步骤d中，所述第二氧化硅层的形成方法为高温氧化物沉积。
5.如权利要求2所述淀积SONOS 存储器隧穿氧化层的方法，其特征在于，所述氮化层厚度为20-30A。
6.如权利要求3所述淀积SONOS 存储器隧穿氧化层的方法，其特征在于，所述氮化硅存储介质层的厚度为70-100A。
7.如权利要求4所述淀积SONOS 存储器隧穿氧化层的方法，其特征在于，所述第二氧化硅层的厚度为40-70A。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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