[发明专利]互补金属氧化物半导体工艺中寄生垂直型PNP管的方法

权利要求书

1.一种互补金属氧化物半导体工艺中寄生垂直型PNP管的方法，在一P型硅衬底上形成N型外延层、N型埋层、深沟槽隔离区以及异质结双极晶体管的集电极沟道，其特征在于，包括以下步骤：

    步骤a：在N型埋层的上方进行P型注入，以形成寄生垂直型PNP管的P阱；

    步骤b：对寄生垂直型PNP的基区进行NLDD注入，以形成寄生垂直型PNP的基区；

步骤c：在P型硅衬底上淀积介电层，刻蚀打开部分覆盖在基区上的介电层，以形成基区窗口，之后，在介电层上生长基区外延层，使介电外延层置于基区窗口的部分与基区相接触；

    步骤d：刻蚀去除部分介电层和基区外延层，仅保留覆盖在基区上且设有基区窗口的部分介电层以及基区外延层；

    步骤e：对寄生垂直型PNP的集电极区域进行P+注入，以形成寄生垂直型PNP的集电极区域；

    步骤f：进行后续的金属硅化物、接触孔、金属连线工艺。

2.根据权利要求1所述的互补金属氧化物半导体工艺中寄生垂直型PNP管的方法，其特征在于，步骤c中淀积单层氧化硅层以形成介电层。

3.根据权利要求1所述的互补金属氧化物半导体工艺中寄生垂直型PNP管的方法，其特征在于，步骤c中淀积氧化硅和氮化硅两层以形成介电层。

4.根据权利要求1所述的互补金属氧化物半导体工艺中寄生垂直型PNP管的方法，其特征在于，步骤d中通过在位掺杂Si、SiGe、SiGec形成基区外延层。

5.根据权利要求1所述的互补金属氧化物半导体工艺中寄生垂直型PNP管的方法，其特征在于，步骤e中注入B、BF2或铟进行重掺杂形成寄生垂直型PNP的集电极区域。

6.根据权利要求1所述的互补金属氧化物半导体工艺中寄生垂直型PNP管的方法，其特征在于，步骤f中包括：淀积一介质层，介电层覆盖在基区、集电极区域以及覆盖在基区上的残留的介电层和基区外延层上，刻蚀形成止于基极的基极接触孔、止于残留的基区外延层的发射极接触孔、止于集电极区域的集电极接触孔。

7.根据权利要求6所述的互补金属氧化物半导体工艺中寄生垂直型PNP管的方法，其特征在于，步骤f中还包括在基极接触孔、发射极接触孔、集电极接触孔内填充金属。

8.根据权利要求1所述的互补金属氧化物半导体工艺中寄生垂直型PNP管的方法，其特征在于，步骤a具体为：进行CMOS的N阱和P阱注入，且在进行CMOS的P阱注入时对寄生垂直型PNP管区进行P型注入。

9.根据权利要求1所述的互补金属氧化物半导体工艺中寄生垂直型PNP管的方法，其特征在于，步骤b具体为：进行CMOS工艺的闸极多晶硅图形、LDD注入工艺、CMOS侧墙的形成，在CMOS的NLDD同时对寄生垂直型PNP的基区进行NLDD注入，以形成寄生垂直型PNP的基区。

10.根据权利要求1所述的互补金属氧化物半导体工艺中寄生垂直型PNP管的方法，其特征在于，步骤b中注入N型的磷或砷进行NLDD。