[发明专利]新单晶硅太阳能电池制作方法

权利要求书

1.一种新单晶硅太阳能电池制作方法，以单晶硅片为原料，其特征在于包括如下步骤：

⑴ 去除单晶硅片表面的损伤层；

⑵ 扩散制pn结；

⑶ 去边缘结，去磷硅玻璃；

⑷ 采用化学气相沉积方法制备金刚石薄膜；

⑸ 丝网印刷，烧结制作电极。

2.如权利要求1所述的新单晶硅太阳能电池制作方法，其特征在于：所述步骤⑷，采用化学气相沉积方法制备金刚石薄膜的具体方法包括将单晶硅片放入2～3 kPa的真空室内，加热到500～700 ℃，通入甲烷和氢气，并维持生长室内气压2～3 kPa，通入的甲烷和氢气在微波作用下分解成一系列的含碳基团，不断的沉积在硅片表面，最终在单晶硅片表面生长了一层金刚石薄膜。

3.如权利要求2所述的新单晶硅太阳能电池制作方法，其特征在于：所述甲烷流量为5～10 ml/min，氢气的流量为80～100 ml/min。

4.如权利要求2所述的新单晶硅太阳能电池制作方法，其特征在于：所述微波频率为2.45 GHz，功率为1.5～2 kW。