[发明专利]一种消除阈值电压影响的电荷泵

权利要求书

1.一种消除阈值电压影响的电荷泵，其特征在于，该电荷泵是对CTS2电荷泵结构进行改良，用PMOS管替换CTS2电荷泵结构中作为最后一级传输管的NMOS管，并用该PMOS管控制电压通过时钟的高低变化实现在0与输出电压之间的切换。

2.根据权利要求1所述的消除阈值电压影响的电荷泵，其特征在于，该电荷泵包括以二极管形式连接在一起的第一NMOS管(MD1)、第二NMOS管(MD2)和第三NMOS管(MD3)，其中第一NMOS管(MD1)的源端和栅端均接到电源电压VDD，第一NMOS管(MD1)的漏端接到第二NMOS管(MD2)的源端和栅端，第二NMOS管(MD2)的漏端接到第三NMOS管(MD3)的源端和栅端，第三NMOS管(MD3)的漏端接到最后一级传输管(MD4)的源端和栅端，该最后一级传输管(MD4)是PMOS管，其漏端接到输出端。

3.根据权利要求2所述的消除阈值电压影响的电荷泵，其特征在于，该电荷泵还包括第五NMOS管(MS5)和第六NMOS管(MS6)，二者是以反相器形式连接，第五NMOS管(MS5)的源端接地，第六NMOS管(MS6)的源端接到输出端OUT，二者的栅端接到时钟CLK处，二者的漏端连接处节点(M)接到该最后一级传输管(MD4)的栅端。

4.根据权利要求2所述的消除阈值电压影响的电荷泵，其特征在于，所述第一NMOS管(MD1)与所述第二NMOS管(MD2)之间的连接处为第一节点(1)，所述第二NMOS管(MD2)与所述第三NMOS管(MD3)之间的连接处为第二节点(2)，所述第三NMOS管(MD3)与所述最后一级传输管(MD4)之间的连接处为第三节点(3)，第一节点(1)和第三节点(3)分别通过第一电容(C1)和第三电容(C3)连到第一时钟(CLK)，第二节点(2)通过第二电容(C2)连到第二时钟(CLKB)，第一时钟(CLK)和第二时钟(CLKB)是两相非重叠时钟。

5.根据权利要求4所述的消除阈值电压影响的电荷泵，其特征在于，该电荷泵还包括第七NMOS管(MS1)、第八NMOS管(MS2)、第九NMOS管(MS3)和第十NMOS管(MS4)，第七NMOS管(MS1)、第八NMOS管(MS2)和第九NMOS管(MS3)的源端分别接到第一NMOS管(MD1)、第二NMOS管(MD2)和第三NMOS管(MD3)的源端，第七NMOS管(MS1)、第八NMOS管(MS2)和第九NMOS管(MS3)的漏端接到第一NMOS管(MD1)、第二NMOS管(MD2)和第三NMOS管(MD3)的漏端，第十NMOS管(MS4)的源端和栅端接到第三节点(3)，第十NMOS管(MS4)的漏端通过第四电容(C4)连到第二时钟(CLKB)。

6.根据权利要求5所述的消除阈值电压影响的电荷泵，其特征在于，该电荷泵还包括第十一NMOS管(MN1)、第十二NMOS管(MN2)、第十三NMOS管(MN3)、第一PMOS管(MP1)、第二PMOS管(MP2)和第三PMOS管(MP3)，其中第十一NMOS管(MN1)与第一PMOS管(MP1)组成反相器结构，第十二NMOS管(MN2)与第二PMOS管(MP2)组成反相器结构，第十三NMOS管(MN3)与第三PMOS管(MP3)组成反相器结构。

7.根据权利要求6所述的消除阈值电压影响的电荷泵，其特征在于，所述第十一NMOS管(MN1)的源端接到电源电压VCC，第一PMOS管(MP1)的源端接到第二节点(2)，第十一NMOS管(MN1)和第一PMOS管(MP1)的栅端连到第一节点(1)，第十一NMOS管(MN1)的漏端与第一PMOS管(MP1)的漏端连到一起再连到第七NMOS管(MS1)的栅端。

8.根据权利要求6所述的消除阈值电压影响的电荷泵，其特征在于，所述第十二NMOS管(MN2)的源端接到第一节点(1)，第二PMOS管(MP2)的源端接到第三节点(3)，第十二NMOS管(MN2)和第二PMOS管(MP2)的栅端连到第二节点(2)，第十二NMOS管(MN2)的漏端和第二PMOS管(MP2)的漏端连到一起再连到第八NMOS管(MS2)的栅端。