[发明专利]形成RDL的方法和半导体器件

权利要求书

1.一种制作半导体器件的方法，包括：

提供半导体管芯；

在该半导体管芯表面上形成第一导电层；

在该半导体管芯的该表面上形成第一绝缘层；

在第一绝缘层和第一导电层上形成第二绝缘层；

在第一导电层上的第二绝缘层中形成开口，该开口在第一导电层的第一和第二相对边缘上延伸超过该第一导电层，而第二绝缘层相对于第一导电层的第三和第四相对边缘覆盖该第一导电层，该第一导电层的第三和第四相对边缘与第一导电层的第一和第二相对边缘垂直；

在第一和第二绝缘层上以及在第二绝缘层中的开口内的第一导电层部分上形成第二导电层；以及

在第二导电层和第一和第二绝缘层上形成第三绝缘层。

2.权利要求1的方法，其中：第二导电层中的开口延伸超过第一导电层的第一和第二相对边缘10-20μm。

3.权利要求1的方法，其中：第二绝缘层相对于第一导电层的第三和第四相对边缘覆盖该第一导电层10-20μm。

4.权利要求1的方法，其中：在第一导电层的第一和第二相对边缘之间，第二导电层的宽度大于第一导电层的宽度，并且在第一导电层的第三和第四相对边缘之间，第二导电层的宽度小于第一导电层的宽度。

5.权利要求1的方法，其中：第一导电层和第二导电层之间的接触界面的宽度在20-40μm的范围内。

6.权利要求1的方法，其中：第一导电层的节距在30-50μm的范围内。

7.一种制作半导体器件的方法，包括：

提供半导体管芯；

在该半导体管芯表面上形成第一导电层；

在第一导电层和该半导体管芯表面上形成第一绝缘层；

形成沿着第一轴具有小于第一导电层的宽度的宽度的第二导电层，该第二导电层沿着与第一轴垂直的第二轴具有大于第一导电层的宽度的宽度；以及

在第二导电层和第一绝缘层上形成第二绝缘层。

8.权利要求7的方法，进一步包括在第一导电层上的第二绝缘层中形成开口，该开口在第一导电层的第一和第二相对边缘上延伸超过该第一导电层，而第二绝缘层相对于第一导电层的第三和第四相对边缘覆盖该第一导电层，该第一导电层的第三和第四相对边缘与第一导电层的第一和第二相对边缘垂直。

9.权利要求7的方法，进一步包括在形成第一绝缘层之前在半导体管芯的表面上形成第三绝缘层。

10.权利要求7的方法，其中：沿着第二轴，第二导电层的宽度比第一导电层的宽度大10-20μm。

11.权利要求7的方法，其中：沿着第一轴，第一导电层的宽度比第二导电层的宽度大10-20μm。

12.权利要求7的方法，其中：第一导电层和第二导电层之间的接触界面的宽度在20-40μm范围内。

13.权利要求7的方法，其中：第一导电层的节距在30-50μm范围内。

14.一种制作半导体器件的方法，包括：

提供半导体管芯；

在该半导体管芯表面上形成第一导电层；

在该半导体管芯的该表面上形成第一绝缘层；以及

在第一导电层上形成第二导电层，沿着第一轴，第二导电层宽于第一导电层，并且沿着与第一轴垂直的第二轴，第二导电层窄于第一导电层。

15.权利要求14的方法，进一步包括：

在形成第一绝缘层之前在半导体管芯的表面上形成第二绝缘层，以及

在第二导电层和第一绝缘层上形成第三绝缘层。

16.权利要求15的方法，进一步包括：在第一导电层上的第二绝缘层中形成开口，该开口在第一导电层的第一和第二相对边缘上延伸超过该第一导电层，而第二绝缘层相对于第一导电层的第三和第四相对边缘覆盖该第一导电层，该第一导电层的第三和第四相对边缘与第一导电层的第一和第二相对边缘垂直。

17.权利要求14的方法，其中：沿着第一轴，第二导电层的宽度比第一导电层的宽度大10-20μm。

18.权利要求14的方法，其中：沿着第二轴，第二导电层的宽度比第一导电层的宽度小10-20μm。