[发明专利]新型高硅铝合金电子封装材料及其制备方法

权利要求书

1.一种新型高硅铝合金电子封装材料，其特征在于：含有Al、Si、 Fe、Mn和Mg，各组分的重量百分比为： Si 12～40%，Fe 0.3～0.6%，Mn 0.3～0.45%，Mg 0.3～0.5%，其余为Al。

2.一种新型高硅铝合金电子封装材料的制备方法，包括以下步骤：

1）准备配料；

2）将上述配料熔炼，喷射沉积得到锭坯；

3）将上述锭坯进行去应力退火；

4）将退火后的锭坯进行热致密化加工，得到综合性能优异的高硅铝合金电子封装材料。

3.根据权利要求2所述的一种新型高硅铝合金电子封装材料制备方法，其特征在于：所述步骤2）具体为将上述配料在中频感应炉内进行熔炼，升温至750～1350℃，充分搅拌，用30%NaCl＋47%KCl＋23%冰晶石为熔剂进行覆盖造渣，并用六氯乙烷除气；金属液滴经漏嘴注入喷射沉积装置中，被高压氮气雾化后的金属液珠直接喷入距离喷嘴约200～300mm的基体上沉积，制备成一定尺寸的锭坯。

4.根据权利要求2所述的一种新型高硅铝合金电子封装材料制备方法，其特征在于：所述步骤3）具体为将合金锭坯进行去应力退火，其退火温度为400～500℃，保温时间为2～5小时。

5.根据权利要求2所述的一种新型高硅铝合金电子封装材料制备方法，其特征在于：所述步骤4）为将锭坯进行热致密化加工，具体工艺为热锻，锭坯加热温度为480～540℃，保温0.5～2小时，采用模锻，反复多次后锻成一定厚度的锭坯，其致密度达到99.8%以上的综合性能优异的高硅铝合金电子封装材料。