[发明专利]液晶显示装置及其制造方法有效
申请号: | 201110263521.2 | 申请日: | 2011-09-01 |
公开(公告)号: | CN102411237A | 公开(公告)日: | 2012-04-11 |
发明(设计)人: | 吴锦美;李汉锡 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/133;G02F1/1333;H01L21/77 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种液晶显示装置,包括:
具有像素区域的基板;
形成在所述像素区域的薄膜晶体管,所述薄膜晶体管至少包括有源层、栅极、绝缘层和数据电极;
形成在所述薄膜晶体管上的第一钝化层;
穿过所述第一钝化层的一部分形成的第一接触孔,用以暴露所述数据电极;
公共电极,所述公共电极形成在所述第一钝化层的包括所述第一接触孔的内部的至少一部分上,所述公共电极可操作为感测触摸;
导线,所述导线形成在所述第一钝化层的包括所述第一接触孔的内部的至少一部分上;
形成在所述公共电极和所述导线上的第二钝化层;
穿过所述第二钝化层的一部分形成的第二接触孔,用以暴露与所述数据电极对应的导线;以及
与所述导线电连接的像素电极,所述像素电极形成在所述第二钝化层上和所述第二接触孔的内部,
其中所述数据电极与所述像素电极通过所述公共电极以及所述导线电连接。
2.根据权利要求1所述的液晶显示装置,其中所述公共电极和所述导线是通过利用一个半色调掩模的一道掩模工艺形成的。
3.根据权利要求1所述的液晶显示装置,其中所述薄膜晶体管由低温多晶硅形成。
4.根据权利要求1所述的液晶显示装置,其中所述导线连接所述像素区域中的公共电极。
5.根据权利要求1所述的液晶显示装置,其中所述公共电极在所述液晶显示装置的非显示周期期间感测触摸,在所述液晶显示装置的显示周期期间提供公共电压。
6.根据权利要求1所述的液晶显示装置,其中所述第一接触孔是通过蚀刻所述第一钝化层的预定部分形成的。
7.根据权利要求1所述的液晶显示装置,其中所述第二接触孔是通过蚀刻所述第二钝化层的预定部分形成的。
8.根据权利要求1所述的液晶显示装置,其中所述导线形成在位于所述第一接触孔的内部的公共电极上。
9.一种液晶显示装置的制造方法,包括如下步骤:
形成具有像素区域的基板;
在所述像素区域形成薄膜晶体管,所述薄膜晶体管至少包括有源层、栅极、绝缘层和数据电极;
在所述薄膜晶体管上形成第一钝化层;
穿过所述第一钝化层的一部分形成第一接触孔,用以暴露所述数据电极;
在所述第一钝化层的包括所述第一接触孔的内部的至少一部分上形成公共电极,所述公共电极可操作为感测触摸;
在所述第一钝化层的包括所述第一接触孔的内部的至少一部分上形成导线;
在所述公共电极和所述导线上形成第二钝化层;
穿过所述第二钝化层的一部分形成第二接触孔,用以暴露与所述数据电极对应的导线;以及
形成与所述导线电连接的像素电极,所述像素电极位于所述第二钝化层上和所述第二接触孔的内部,
其中所述数据电极与所述像素电极通过所述公共电极以及所述导线电连接。
10.根据权利要求9所述的制造方法,其中所述公共电极和所述导线是通过利用一个半色调掩模的一道掩模工艺形成的。
11.根据权利要求10所述的制造方法,其中所述半色调掩模包括:不透射光的非透射区域;部分透射光的半透射区域;以及透射光的透射区域。
12.根据权利要求9所述的制造方法,其中所述薄膜晶体管由低温多晶硅形成。
13.根据权利要求9所述的制造方法,其中所述导线连接所述像素区域中的公共电极。
14.根据权利要求9所述的制造方法,其中所述公共电极在所述液晶显示装置的非显示周期期间感测触摸,在所述液晶显示装置的显示周期期间提供公共电压。
15.根据权利要求9所述的制造方法,其中所述第一接触孔是通过蚀刻所述第一钝化层的预定部分形成的。
16.根据权利要求9所述的制造方法,其中所述第二接触孔是通过蚀刻所述第二钝化层的预定部分形成的。
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