[发明专利]碲化镉薄膜沉积的蒸发源及其制备方法

权利要求书

1.一种蒸发源的制备方法，所述蒸发源用于制备碲化镉薄膜太阳电池的碲化镉薄膜，其特征在于，该方法包括以下步骤：

（1）按比例混合形成包括镉金属粉末和碲单质粉末的粉末混合物；

（2）将所述粉末混合物平铺于热蒸发设备的热蒸发源上；以及

（3）在500℃至900℃的温度条件下蒸镀至平整的蒸发源衬底上形成碲化镉化合物。

2. 如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述镉金属粉末和碲单质粉末的粒径均小于或等于100目。

3. 如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤（1）中，在混合前或混合后还包括筛选过程，以使所述镉金属粉末和碲单质粉末的粒径均小于或等于100目。

4. 如权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤（1）中，先按比例混合金属镉和单质碲、再粉碎所述金属镉和单质碲以形成所述粉末混合物。

5. 如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述金属镉的纯度大于或等于99.99%，所述单质碲的纯度大于或等于99.99%。

6. 如权利要求1或3所述的制备方法，其特征在于，所述步骤（1）中，分别粉碎金属镉和单质碲以相应形成所述镉金属粉末和碲单质粉末、再按比例混合所述镉金属粉末和碲单质粉末以形成所述粉末混合物。

7. 如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，镉金属粉末的纯度大于或等于99.99%，所述碲单质粉末的纯度大于或等于99.99%。

8. 如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述镉金属粉末和碲单质粉末的化学计量比的范围为1:2至2:1。

9. 如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述镉金属粉末和碲单质粉末的化学计量比为1:1.1，所述碲化镉化合物为富碲的多晶碲化镉。

10. 如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述镉金属粉末和碲单质粉末的化学计量比为1:1，所述碲化镉化合物为未掺杂的多晶碲化镉。

11. 如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤（2）中，平铺的所述粉末混合物的厚度的范围为1毫米至10毫米。

12. 如权利要求1或11所述的制备方法，其特征在于，所述步骤（2）中，平铺的所述粉末混合物的厚度差在1毫米之内。

13. 如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤（3）中在真空条件或惰性气体气氛条件下完成。

14. 如权利要求1或13所述的制备方法，其特征在于，所述步骤（3）中，所述粉末混合物通过两段式升温实现500℃至900℃的温度条件，其中，第一段为升温至350-450℃温度范围、并保温10至25分钟，第二段为升温至500℃-900℃温度范围。

15. 如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤（3）中，所述粉末混合物通过一段式升温直接实现500℃至900℃的温度条件。

16. 如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述蒸发源衬底相向于所述粉末混合物的一面的平整度小于或等于±0.5毫米。

17. 如权利要求1或16所述的制备方法，其特征在于，所述蒸发源衬底为石墨板或石英板。

18. 一种蒸发源，其特征在于，包括：

蒸发源衬底；以及

碲化镉化合物层，其应用如权利要求1-15任一项所述的方法制备形成于所述蒸发源衬底之上。

19. 如权利要求18所述的蒸发源，其特征在于，所述蒸发源衬底相向于所述粉末混合物的一面的平整度小于或等于±0.5毫米。

20. 如权利要求18所述的蒸发源，其特征在于，所述蒸发源衬底为石墨板或石英板。

21. 如权利要求18所述的蒸发源，其特征在于，所述蒸发源在近空间升华法中被应用以制备碲化镉薄膜太阳电池的碲化镉薄膜。