[发明专利]带隙基准电压电路无效

专利信息
申请号: 201110263151.2 申请日: 2011-08-24
公开(公告)号: CN102354251A 公开(公告)日: 2012-02-15
发明(设计)人: 周继军 申请(专利权)人: 周继军
主分类号: G05F3/30 分类号: G05F3/30
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 124010 辽宁省盘锦市兴隆*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 基准 电压 电路
【权利要求书】:

1.一种带隙基准电压电路,其特征在于,其包括第一双极型晶体管、第二双极型晶体管、第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻,

第一双极型晶体管的基极和集电极接地,其射极经由第一电阻与地连接;第二双极型晶体管的基极和集电极接地,其射极连接于第三电阻的一端,第三电阻的另一端经由第二电阻与地连接;第四电阻的一端与地连接,利用与流经第三电阻的电流和第二电阻的电流的混合电流成正比的电流流经第四电阻,从而在第四电阻的另一端得到基准电压,

其中第四电阻包括基础电阻单元和多个可调电阻单元,每个可调电阻单元与一个对应的开关并联,通过控制各个开关的导通和截止来调整第四电阻的阻值。

2.根据权利要求1所述的电路,其特征在于:第一双极型晶体管为一个基准双极型晶体管,第二双极型晶体管包括多个并联的基准双极型晶体管。

3.根据权利要求2所述的电路,其特征在于:其还包括有第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第三PMOS晶体管以及运算放大器,

各个PMOS晶体管的源极接电源,栅极互相连接,

第一PMOS晶体管的漏极接第一双极型晶体管的射极,

第二PMOS晶体管的漏极接第三电阻的与第二电阻连接的一端,

第三PMOS晶体管的漏极与第四电阻相连,第三PMOS晶体管的漏极和第四电阻的中间节点的电压为所述基准电压,

所述运算放大器的负相输入端接第一PMOS晶体管的漏极,正相输入端接第二PMOS晶体管的漏极,其输出端接第三PMOS晶体管的栅极。

4.根据权利要求3所述的电路,其特征在于:第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管和第三PMOS晶体管构成电流镜,第三PMOS晶体管上流过的电流与第二PMOS晶体管上流过的电流成正比。

5.根据权利要求1-4任一所述的电路,其特征在于:还包括:

感应当前温度的数字温度传感器;和

根据当前温度得到温度校正数据,并根据将所述温度校正数据控制各个开关的温度补偿模块。

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