[发明专利]一种多晶硅剖方工艺和硅锭翻转机构无效
申请号: | 201110262961.6 | 申请日: | 2011-09-07 |
公开(公告)号: | CN102310490A | 公开(公告)日: | 2012-01-11 |
发明(设计)人: | 孟高祥;袁华均;傅建根;朱卫峰;孙力峰 | 申请(专利权)人: | 浙江精功新能源有限公司 |
主分类号: | B28D5/04 | 分类号: | B28D5/04;B28D7/00 |
代理公司: | 绍兴市越兴专利事务所 33220 | 代理人: | 蒋卫东 |
地址: | 312030 浙江省绍兴市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 多晶 硅剖方 工艺 翻转 机构 | ||
技术领域
本发明属于光伏多晶硅切割技术领域,涉及一种多晶硅剖方工艺和硅锭翻转机构。
背景技术
光伏多晶硅是硬而脆的贵金属,熔炼后的铸锭重达上吨,要制成0.2毫米厚的晶片,中途还有个剖方工序,就是将铸锭切割成长方体,业内俗称“剖方”。现有技术的剖方工艺是将硅锭底部粘结在平台上,切割方向都是从上面向下进行切割,由于硅锭是定向长晶,上表面凹凸不平,钢丝切割线在初始接触铸锭时,多数会在凸起影响下产生左右滑移,导致切割钢丝直线度不够,尺寸误差较大,剖方大小不一致,导致下一切片工序时,边缘几块晶片报废;硅锭底部是快速结晶区,晶界密集,内应力集中,在剖方过程中,由于砂浆密度、粘度、流量、温度、线速度及外界环境的震动、温度、湿度等影响,将这种应力的作用放大,导致裂纹沿切割缝迅速延伸、出现蹦裂。硅锭是用粘结剂固定在切割底板上的,粘锭时温度过高或打胶不均匀,都会加剧裂纹产生,所以硅锭切方后出现的裂纹多见于硅锭底部。
现有技术的硅锭翻转装置是用箱体盛放硅锭,然后把箱体翻转180度,把硅锭倒出来。硅锭要顺利地放入箱体,势必要在箱体四周留有一定的间隙,在翻转过程中,硬脆而笨重的硅锭侧面会和金属箱体发生滑移磕碰,产生不少裂纹。近年来,硅锭的大小规格越来越多,要与之配套的箱体也需要更多,不但制作费钱,就连平时堆放都成了一个大麻烦。
由于硅锭是价格昂贵的原材料,占了太阳能电池成本中的大部分,所以在后加工过程中成品率的高低对企业经济效益关系十分重大。
发明内容
本发明的目的是为了克服现有技术的不足之处,提供一种多晶硅剖方工艺和硅锭翻转机构,提高切割成品率和成品质量。
为了实现上述目的,本发明的技术方案如下:
一种多晶硅剖方工艺包括下述步骤:将硅锭进行180度翻转,使其底部朝上;将铸锭时形成的上表面用粘结剂固定在切割台上,在铸锭时形成的硅锭底部开始进行线切割,因为硅锭底部平整,所以切割钢丝的锯缝直线度好。
在初始切割的80MM范围内用低速进给进行切割,进给速度为正常速度的60-80%,减少由于切割缝引起应力释放而产生的裂纹;然后逐步加速至正常速度进给切割。
硅锭翻转机构包括左翻转臂、右翻转臂、液压传动装置、机座;
左翻转臂和右翻转臂都销接在机座上,在液压传动装置作用下可以绕销轴摆动,左翻转臂和右翻转臂的结构对称,都呈角尺形,短边一侧各有数根搁档,并且在左翻转臂和右翻转臂的长边都处于垂直位置时,两个翻转臂的短边搁档是相邻而错开不重叠的,所有短边搁档的上表面是平齐的。
左翻转臂和右翻转臂都在长边一侧安装了数个调节托架,用来承受硅锭;调节托架的上面有软垫层,用来保护铸锭表面不被划伤,调节托架的下部设置有高度调节螺丝和螺母,可以把数个调节托架的上表面调整到同一平面上。
本发明采用的从铸锭底部开始切割工艺,用初始慢切割,再逐步加快,提高了锯缝直线度,减少了切片裂纹;由于翻转臂设计成开放式平台,对硅锭的大小规格适应范围很广,不必制备盛放硅锭的多规格翻转箱;而且在液压系统操控下,动作缓慢轻柔,保护十分到位,在翻转过程中没有滑移,不会造成对硅锭的磕碰损伤,显著提高了后续切割工序的质量和成品率。
附图说明
图1为硅锭翻转机构的装配立体图(没放硅锭时);
图2为左翻转臂竖立时的主视图;
图3是硅锭翻转机构的右视图;
图4是左翻转臂及其局部放大图;
图5为硅锭放在右翻转臂上的状态图;
图6为右翻转臂摆动到竖立位置时的状态图;
图7为硅锭完成翻转时的状态图;
图8为现有技术的箱体翻转示意图。
附图标记说明:
1左翻转臂、11左短边搁档,2右翻转臂、21右短边搁档,3调节托架,31软垫层、32调节螺丝、33螺母,4机座,5液压传动装置,6硅锭。
具体实施方式
下面通过附图和实施例对本发明作进一步详细阐述。
如图8所示,是现有技术的硅锭翻转机构简图,硅锭盛放在箱体中沿销轴来翻转。
实施例:硅锭翻转机构如图1、图2所示;
从图3中可以看左翻转臂1和右翻转臂2的短边搁档11和21其位置是互相错开的,各自回转摆动时,互不干涉;下面通过翻转硅锭的操作过程来展开描述:
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