[发明专利]CMOS芯片信息清除电路无效

专利信息
申请号: 201110262077.2 申请日: 2011-09-06
公开(公告)号: CN102981585A 公开(公告)日: 2013-03-20
发明(设计)人: 涂一新;熊金良;周海清 申请(专利权)人: 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
主分类号: G06F1/24 分类号: G06F1/24
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518109 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: cmos 芯片 信息 清除 电路
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种CMOS芯片信息清除电路。

背景技术

通常利用电脑主板上的跳线来清除CMOS芯片信息或者恢复BIOS设置,使得用户在忘记CMOS密码或者BIOS设置无法启动电脑时可启动电脑。但跳线一般设置于机箱主板上,当需要清除CMOS芯片信息时,需打开机箱找到清除CMOS数据的跳线位置,再进行跳线操作,给用户带来极大的不便。

发明内容

鉴于以上内容,有必要提供一种能快速方便地清除CMOS芯片信息的CMOS芯片信息清除电路。

一种CMOS芯片信息清除电路,用于清除安装于主板上的CMOS芯片信息,该CMOS芯片信息清除电路包括一电池、第一至第五电阻、第一、第二场效应管、第一、第二二极管及开关单元,该第一二极管的阳极连接一第一备用电源,该第一二极管的阴极与第二二极管的阴极连接,该第二二极管的阳极通过第一电阻与该电池的正极连接,该电池的负极接地,该第二二极管的阴极通过第二电阻连接至该第一场效应管的漏极及该第二场效应管的栅极,该第一场效应管的栅极通过第三电阻连接一第二备用电源,该第一、第二场效应管的源极接地,该第二二极管的阴极还依次通过第四电阻、开关单元及第五电阻连接至第二场效应管的漏极,该第四电阻与开关单元之间的节点与CMOS芯片的数据复位端连接。

相较于现有技术,本发明CMOS芯片信息清除电路通过操作开关即可方便清除CMOS芯片信息,避免现有技术中需打开机箱进行跳线操作来清除CMOS芯片信息的缺陷。

附图说明

图1是本发明CMOS芯片信息清除电路较佳实施方式的电路图。

主要元件符号说明

CMOS芯片10电阻R1-R5电容C1、C2场效应管Q1、Q2二极管D1、D2开关S1、S2电池BAT第一备用电源3.3V_SB第二备用电源5V_SB

如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。

具体实施方式

请参阅图1,本发明CMOS芯片信息清除电路用于清除安装于主板上的CMOS芯片10的信息,该CMOS芯片信息清除电路的较佳实施方式包括第一至第五电阻R1-R5、第一、第二电容C1、C2、第一、第二二极管D1、D2、第一、第二场效应管Q1、Q2、开关S1、S2及电池BAT。

该第一二极管D1的阳极连接第一备用电源3.3V_SB,该第一二极管D1的阴极与第二二极管D2的阴极连接,该第二二极管D2的阳极通过第一电阻R1与电池BAT的正极连接,该电池BAT的负极接地。第一二极管D1的阴极还通过第二电阻R2连接至第一场效应管Q1的漏极及第二场效应管Q2的栅极,第一场效应管Q1的栅极通过第三电阻R3连接第二备用电源5V_SB,第一、第二场效应管Q1、Q2的源极均接地。

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