[发明专利]CMOS芯片信息清除电路无效
申请号: | 201110262077.2 | 申请日: | 2011-09-06 |
公开(公告)号: | CN102981585A | 公开(公告)日: | 2013-03-20 |
发明(设计)人: | 涂一新;熊金良;周海清 | 申请(专利权)人: | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
主分类号: | G06F1/24 | 分类号: | G06F1/24 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | cmos 芯片 信息 清除 电路 | ||
技术领域
本发明涉及一种CMOS芯片信息清除电路。
背景技术
通常利用电脑主板上的跳线来清除CMOS芯片信息或者恢复BIOS设置,使得用户在忘记CMOS密码或者BIOS设置无法启动电脑时可启动电脑。但跳线一般设置于机箱主板上,当需要清除CMOS芯片信息时,需打开机箱找到清除CMOS数据的跳线位置,再进行跳线操作,给用户带来极大的不便。
发明内容
鉴于以上内容,有必要提供一种能快速方便地清除CMOS芯片信息的CMOS芯片信息清除电路。
一种CMOS芯片信息清除电路,用于清除安装于主板上的CMOS芯片信息,该CMOS芯片信息清除电路包括一电池、第一至第五电阻、第一、第二场效应管、第一、第二二极管及开关单元,该第一二极管的阳极连接一第一备用电源,该第一二极管的阴极与第二二极管的阴极连接,该第二二极管的阳极通过第一电阻与该电池的正极连接,该电池的负极接地,该第二二极管的阴极通过第二电阻连接至该第一场效应管的漏极及该第二场效应管的栅极,该第一场效应管的栅极通过第三电阻连接一第二备用电源,该第一、第二场效应管的源极接地,该第二二极管的阴极还依次通过第四电阻、开关单元及第五电阻连接至第二场效应管的漏极,该第四电阻与开关单元之间的节点与CMOS芯片的数据复位端连接。
相较于现有技术,本发明CMOS芯片信息清除电路通过操作开关即可方便清除CMOS芯片信息,避免现有技术中需打开机箱进行跳线操作来清除CMOS芯片信息的缺陷。
附图说明
图1是本发明CMOS芯片信息清除电路较佳实施方式的电路图。
主要元件符号说明
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
请参阅图1,本发明CMOS芯片信息清除电路用于清除安装于主板上的CMOS芯片10的信息,该CMOS芯片信息清除电路的较佳实施方式包括第一至第五电阻R1-R5、第一、第二电容C1、C2、第一、第二二极管D1、D2、第一、第二场效应管Q1、Q2、开关S1、S2及电池BAT。
该第一二极管D1的阳极连接第一备用电源3.3V_SB,该第一二极管D1的阴极与第二二极管D2的阴极连接,该第二二极管D2的阳极通过第一电阻R1与电池BAT的正极连接,该电池BAT的负极接地。第一二极管D1的阴极还通过第二电阻R2连接至第一场效应管Q1的漏极及第二场效应管Q2的栅极,第一场效应管Q1的栅极通过第三电阻R3连接第二备用电源5V_SB,第一、第二场效应管Q1、Q2的源极均接地。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司,未经鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110262077.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:铝-泡沫板-木复合的四玻内开保温窗
- 下一篇:一种冷冲压成型药用复合硬片
- 信息记录介质、信息记录方法、信息记录设备、信息再现方法和信息再现设备
- 信息记录装置、信息记录方法、信息记录介质、信息复制装置和信息复制方法
- 信息记录装置、信息再现装置、信息记录方法、信息再现方法、信息记录程序、信息再现程序、以及信息记录介质
- 信息记录装置、信息再现装置、信息记录方法、信息再现方法、信息记录程序、信息再现程序、以及信息记录介质
- 信息记录设备、信息重放设备、信息记录方法、信息重放方法、以及信息记录介质
- 信息存储介质、信息记录方法、信息重放方法、信息记录设备、以及信息重放设备
- 信息存储介质、信息记录方法、信息回放方法、信息记录设备和信息回放设备
- 信息记录介质、信息记录方法、信息记录装置、信息再现方法和信息再现装置
- 信息终端,信息终端的信息呈现方法和信息呈现程序
- 信息创建、信息发送方法及信息创建、信息发送装置