[发明专利]一种带电流补偿的高压稳压电路有效
| 申请号： | 201110261941.7 | 申请日： | 2011-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN102981548A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 张宁;周平 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/613 | 分类号： | G05F1/613 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电流 补偿 高压 稳压 电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种带电流补偿的高压稳压电路，其特征是，包括：
一外部电源VDD连接电阻R1的一端、电阻R2的一端和高压NMOS管M4的漏极，电阻R1的另一端连接PMOS管M1的源极，电阻R2的另一端连接NMOS管M6的漏极；
PMOS管M1的栅极连接其漏极，其漏极连接NMOS管M2的漏极，其衬底连接其源极；
NMOS管M2的栅极连接其漏极，其源极连接NMOS管M3的漏极，其衬底连接地；
NMOS管M3的栅极连接其漏极，其源极连接双极结型晶体管D1的发射极，其衬底连接地；
高压NMOS管M4的栅极连接NMOS管M1的源极，其源极连接内部电源，其衬底连接地；
NMOS管M5的漏极连接NMOS管M1的源极，其栅极连接NMOS管M6的栅极，其源极连接双极结型晶体管D2的发射极，其衬底连接地；
NMOS管M6的栅极与其漏极连接，其源极连接双极结型晶体管D3的发射极，其衬底连接地；
双极结型晶体管D1、D2和D3其各自的基极连接其各自的集电极后连接地。
2.如权利要求1所述的高压稳压电路，其特征是：所述电阻R1的阻值范围为20K至50K。
3.如权利要求1所述的高压稳压电路，其特征是：所述外部电源VDD的电压范围为VDD≤28V。
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