[发明专利]电荷俘获型非挥发存储器及其制备方法无效
| 申请号： | 201110261292.0 | 申请日： | 2011-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN102983138A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 刘明;郑志威;霍宗亮;谢常青;张满红;刘璟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电荷 俘获 挥发 存储器 及其 制备 方法 | ||
1.一种电荷俘获型非挥发存储器，其特征在于，该存储器包括：
衬底(101)；
形成于衬底(101)的沟道之上的隧穿介质层(102)；
形成于隧穿介质层(102)之上的电荷存储层(103)；
形成于电荷存储层(103)之上的阻挡层(104)；
形成于阻挡层(104)之上的控制栅(105)；以及
在衬底(101)的沟道两侧掺杂形成的源漏(106)。
2.根据权利要求1所述的电荷俘获型非挥发存储器，其特征在于，所述衬底(101)为硅片或锗硅片。
3.根据权利要求1所述的电荷俘获型非挥发存储器，其特征在于，所述隧穿介质层(102)、电荷存储层(103)和阻挡层(104)构成栅结构，该栅结构采用SONOS结构、MANOS结构或TANOS结构。
4.根据权利要求1或3所述的电荷俘获型非挥发存储器，其特征在于，所述隧穿介质层(102)采用SiO2；所述阻挡层(104)采用SiO2或高介电常数材料Al2O3。
5.根据权利要求1或3所述的电荷俘获型非挥发存储器，其特征在于，所述电荷存储层(103)采用多元氧化物作为电荷存储材料。
6.根据权利要求5所述的电荷俘获型非挥发存储器，其特征在于，所述多元氧化物是通过不同工艺掺杂二元氧化物形成的，包括三元氧化物HfSiO、HfAlO及ZrSiO，或四元氧化物InGaZnO。
7.一种电荷俘获型非挥发存储器的制备方法，其特征在于，该方法包括：
选择衬底；
在该衬底上采用热氧化法形成隧穿介质层；
在该隧穿介质层上溅射形成多元氧化物薄膜，该多元氧化物薄膜作为电荷存储层；
在该多元氧化物薄膜上采用原子层淀积工艺形成阻挡层；
在阻挡层上电子束蒸发方法制备控制栅电极。
8.根据权利要求7所述的电荷俘获型非挥发存储器的制备方法，其特征在于，所述衬底采用p型Si。
9.根据权利要求7所述的电荷俘获型非挥发存储器的制备方法，其特征在于，所述隧穿介质层采用SiO2隧穿介质层，所述多元氧化物薄膜采用HfSiO薄膜，所述阻挡层采用Al2O3阻挡层。
10.根据权利要求7所述的电荷俘获型非挥发存储器的制备方法，其特征在于，所述控制栅电极采用的电极材料为Al。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110261292.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
