[发明专利]堆迭式半导体封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种堆迭式半导体封装结构，用于一堆迭式芯片，其特征在于，该半导体封装结构包括：

一第一半导体芯片，包括一金属层；

一硅穿孔结构，贯穿该第一半导体芯片的一上表面，并电连接至该金属层；

一重布线路层，形成于该第一半导体芯片的该上表面，并电连接至该硅穿孔结构；以及

一第二半导体芯片，设置于该第一半导体芯片之上，并通过该重布线路层，连接至该第一半导体芯片。

2.如权利要求1所述的堆迭式半导体封装结构，其特征在于，该堆迭式芯片为一玻璃覆晶芯片。

3.如权利要求1所述的堆迭式半导体封装结构，其特征在于，该第二半导体芯片是通过多个凸块电连接至该重布线路层，以连接至该第一半导体芯片。

4.如权利要求3所述的堆迭式半导体封装结构，其特征在于，该多个凸块选自覆晶凸块、焊锡凸块、微凸块及铜柱凸块。

5.如权利要求1所述的堆迭式半导体封装结构，其特征在于，该第一半导体芯片还包括有多个凸块，形成于该第一半导体芯片的一下表面，用以连接至一外部装置。

6.如权利要求5所述的堆迭式半导体封装结构，其特征在于，该第一半导体芯片的该多个凸块的材质选自铜、镍、金或其合金。

7.如权利要求1所述的堆迭式半导体封装结构，其特征在于，该第一半导体芯片及该第二半导体芯片是以不同半导体制程制作而成。

8.如权利要求1所述的堆迭式半导体封装结构，其特征在于，该堆迭式半导体封装结构还包括一封装材料，包围该第二半导体芯片。

9.一种形成一堆迭式半导体封装结构的方法，其特征在于，该半导体封装结构用于一堆迭式芯片，且形成该半导体封装结构的方法包括有：

形成包括有一金属层的一第一半导体芯片；

形成一硅穿孔结构，其贯穿该第一半导体芯片的一上表面，并电连接至该金属层；

形成一重布线路层，其位于该第一半导体芯片的该上表面，并电连接至该硅穿孔结构；以及

于该第一半导体芯片之上，形成一第二半导体芯片，并通过该重布线路层，连接至该第一半导体芯片。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，该堆迭式芯片为一玻璃覆晶芯片。

11.如权利要求9所述的方法，其特征在于，形成该第二半导体芯片的步骤，包括形成多个凸块，使该第二半导体芯片通过该多个凸块电连接至该重布线路层，以连接至该第一半导体芯片。

12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，该多个凸块选自覆晶凸块、焊锡凸块、微凸块及铜柱凸块。

13.如权利要求9所述的方法，其特征在于，该第一半导体芯片还包括有多个凸块，形成于该第一半导体芯片的一下表面，用以连接至一外部装置。

14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，该第一半导体芯片的该多个凸块的材质选自铜、镍、金或其合金。

15.如权利要求9所述的方法，其特征在于，该第一半导体芯片及该第二半导体芯片以不同半导体制程制作而成。

16.如权利要求9所述的方法，其特征在于，该半导体封装结构还包括一封装材料，包围该第二半导体芯片。