[发明专利]用原子层沉积的氧化铝作为栅介质的多晶硅薄膜晶体管无效
| 申请号： | 201110259907.6 | 申请日： | 2011-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN102983175A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 周玮;赵淑云;孟志国;郭海成 | 申请（专利权）人： | 广东中显科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/51;H01L21/336;H01L21/285 |
| 代理公司： | 北京瑞恒信达知识产权代理事务所(普通合伙) 11382 | 代理人： | 王凤华;黄庆芳 |
| 地址： | 528225 广东省佛*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 原子 沉积 氧化铝 作为 介质 多晶 薄膜晶体管 | ||
【权利要求书】：
1.一种多晶硅薄膜晶体管，包括：
衬底；
衬底上的绝缘层；
多晶硅有源层，由固相结晶法制成，该多晶硅有源层中具有源区和漏区；
多晶硅有源层上的由ALD沉积的氧化铝层，用作栅介质层；
氧化铝层上的栅电极。
2.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜晶体管，其中氧化铝层的厚度为25nm至75nm。
3.根据权利要求2所述的多晶硅薄膜晶体管，其中氧化铝层的厚度为50nm。
4.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜晶体管，其中衬底为单晶硅、玻璃、石英。
5.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜晶体管，还包括覆盖栅电极和氧化铝层的低温沉积氧化物层。
6.根据权利要求5所述的多晶硅薄膜晶体管，其中低温沉积氧化物层具有延伸到源区、漏区和栅电极的接触孔，接触孔中填充有Si含量为1％的Al材料。
7.一种制造权利要求1所述的多晶硅薄膜晶体管的方法，包括：
形成非晶si有源层，再进行固体结晶工艺，形成多晶硅有源层；
利用ALD法在多晶硅有源层上沉积Al2O3作为栅介质层；
在栅介质层上形成栅电极。
8.根据权利要求7所述的制造方法，其中ALD沉积的温度在室温至400摄氏度。
9.根据权利要求8所述的制造方法，其中ALD沉积的温度为300摄氏度。
10.根据权利要求7所述的制造方法，其中ALD沉积可在等离子体辅助条件下进行。
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