[发明专利]一种基于非规整膜层结构的宽光谱金属介质膜光栅无效

专利信息
申请号: 201110259841.0 申请日: 2011-09-05
公开(公告)号: CN102313920A 公开(公告)日: 2012-01-11
发明(设计)人: 孔伟金;云茂金;张文飞;滕冰;刘均海;孙欣;陈沙鸥 申请(专利权)人: 青岛大学
主分类号: G02B5/18 分类号: G02B5/18;G02B1/10;B32B15/04;B32B9/04
代理公司: 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 代理人: 邸更岩
地址: 266071 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 规整 结构 光谱 金属 介质 光栅
【权利要求书】:

1.一种基于非规整膜层结构的宽光谱金属介质膜光栅,其特征在于:该宽光谱金属介质膜光栅从下至上依次包括基底(7)、金属Cr膜(6)、金属Ag膜(5)、TiO2介质膜(4)、SiO2介质膜(3)、剩余膜层(2)和表面光栅结构(1);所述的金属Ag膜(5)、TiO2介质膜(4)和SiO2介质膜(3)组成高反射膜(8);所述的剩余膜层(2)和表面光栅结构均为HfO2材料;光栅的周期为1480线/mm,刻蚀深度为400纳米,剩余膜层的厚度为200纳米,占空比为0.2,入射角度为58°,入射光的偏振态为TE模式。

2.按照权利要求1所述的一种基于非规整膜层结构的宽光谱金属介质膜光栅,其特征在于:所述的高反射膜采用非规整结构,其结构为G/CrAgTL,其中G是基底,T代表TiO2介质膜,L代表SiO2介质膜,金属Cr膜的厚度为67nm,金属Ag膜的厚度为87.5nm,TiO2介质膜的厚度为171nm,SiO2介质膜的厚度为111nm。

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