[发明专利]发光二极管的光电参数分组测试方法

说明书

技术领域：

本发明涉及半导体器件测试，具体涉及一种发光二极管的光电参数分组测试方法。

背景技术：

随着氮化镓基化合物的蓝绿光以及白光用LED在显示及照明领域的广泛应用，客观上对LED的需求数量呈现几何级数增加，这样对LED的生产效率提出更高要求。现有LED晶圆的光电测试缺点是，需要测试每一颗芯片完整的光学性能和电学性能，测试每颗芯片时需要通电多次。目前，测量光学参数需要通电4次左右，测量电学参数也需要通电4次左右，每次测试需要消耗的时间与测试通电的次数成正比，机台的产能较低。在LED芯片生产中，测试成本占芯片加工成本的15％以上，因此，提高测试效率，可以显著提高机台产能，降低芯片生产成本。

通过金属有机化学气相技术(MOCVD)外延制备的LED晶圆，其单个晶圆上LED芯片光电性能是一种渐变的过程，且随着LED光电性能不断提高，芯片的尺寸越来越小，相邻芯片之间的光电参数变化也越来越小，相邻芯片光电性能参数的变化可以忽略不记。因此，可以开发一种简约的测试方法，替换原来需要测试每个芯片所有光电参数的方法。

发明内容：

本发明要解决的技术问题是，在较小影响测试效果的情况下，提供一种全新的简化测试方法，来取代原来测试每颗芯片所有光电参数的技术。

本发明的技术方案为：一种发光二极管的光电参数分组测试方法，包括光学性能测试和电学性能测试，单颗芯片的部分光电参数来自于与其相邻的LED芯片的参数。其中测试光学性能包括：I_v(亮度)，W_d(主值波长)，Wp(峰值波长)，H_W(半波宽)，CIE-x(CIE色度x坐标)，CIE-y(CIE色度y坐标)等参数。测试的电学性能包括V_fim(开启电压)，V_f(工作电压)，I_r(反向漏电流)，V_r(反向击穿电压)等参数。

本芯片的光电参数可以引用与其相邻或相近的一个芯片的光电参数，也可以引用与其相邻或者相近的多个芯片的光电参数。

本发明的优点在于：按照本发明的LED芯片测试方法，不需要完整的测试每一颗LED芯片的光电参数，简化LED的芯片的测试。并且每一颗芯片的光电参数在其周围芯片的光电参数中都有体现。其中，芯片尺寸的减小和外延性能的变化梯度的减小对测试效果更为有利。

需要特别指出的是，本文中所指的芯片测试方法，除了可以用于测试发光二极管(LED)之外，还可以用于其它用途的半导体器件，例如存储芯片的测试。

附图说明：

图1为相邻芯片光电参数分组测试示意图；

图2三颗芯片光电参数分组测试示意图。

图中A为外延片所制备的晶圆，1、2、3、4为单个晶圆中的相邻芯片，B为外延片所制备的晶圆，5、6、7为单个晶圆中的相邻芯片。

具体的实施方式：

在进一步介绍本发明之前，应当理解，由于可以对特定的实施例进行改造，因此，本发明并不限于下述的特定实施例。还应当理解，由于本发明的范围只由所附权利要求限定，因此所采用的实施例只是介绍性的，而不是限制性的。除非另有说明，否则这里所用的所有技术和科学用语与本领域的普通技术人员所普遍理解的意义相同。

按照本发明的LED芯片测试，可以是分别测试相邻或者相近芯片的光学性能参数和电学性能参数，其中，两颗被测试芯片之间可以是相邻或者相近的芯片。

下面将参考附图来介绍本发明，在这些附图中，类似的部件由类似的标号表示。

图一和图二分别为运用本发明对应的测试方法示意图。可以看出，利用光电参数分组的测试方法，每一颗芯片的测试结果上和组内其他被测试的芯片的性能都是相关的，这样就能够保证每颗芯片的性能在测试结果中能够呈现。

测试过程如下：单个晶圆上的芯片按照一定的规律被分为芯片组，在图1实施实例中，测试方法如下：单个晶圆上的芯片被两两分组，测试芯片1和芯片3的所有光学性能参数，测试芯片2和芯片4的所有电学性能参数。将芯片1测试所得的光学性能参数和芯片3的电学性能参数结合到一起，组成一组完整的光电性能参数，将其赋予给芯片1和芯片3。将芯片2测试所得的光学性能参数和芯片4的电学性能参数结合到一起，组成一组完整的光电性能参数，将其赋予给芯片2和芯片4。如此类推，直到测试完此晶圆上所有芯片的光电参数。

在图2实施例中，测试方法如下：单个晶圆上的芯片每三个分一组，在一组芯片中，测试芯片5的所有光学性能，测试芯片6的部分电学性能，测试芯片7中另外一部分电学性能，结合三颗芯片所有被测试出来的光电性能参数，得到一组完整的光电性能参数，赋予芯片5，芯片6，芯片7。如此类推，直到测试完此晶圆上所有芯片的光电参数。