[发明专利]一次性可编程存储单元阵列及其制造方法

权利要求书

1.一种一次性可编程存储单元阵列，包括：

形成在支撑衬底上的绝缘层；

形成在所述绝缘层上的导电材料层的多个相互分离的条形部分；

形成在所述导电材料层的多个相互分离的条形部分上以及所述条形部分之间的所述绝缘层的部分上的电介质层；以及

形成在所述电介质层上的与所述导电材料层的多个相互分离的条形部分垂直的多晶硅或多晶硅锗层的多个相互分离的条形部分，所述导电材料层的每一个所述条形部分与所述多晶硅或多晶硅锗层的每一个所述条形部分的重叠之处形成有一个存储单元。

2.根据权利要求1所述的存储单元阵列，其中所述支撑衬底是高纯冶金级硅晶片、工艺硅片余料或低成本多晶硅形成的衬底，或者所述支撑衬底是绝缘衬底。

3.根据权利要求1-2中任一项所述的存储单元阵列，其中所述多晶硅层由通过激光退火形成的颗粒尺寸为50nm-100um的多晶硅形成。

4.一种一次性可编程存储装置，包括如权利要求1-3中任一项所述的一次性可编程存储单元阵列。

5.一种制造一次性可编程存储单元阵列的方法，包括如下步骤：

在支撑衬底上形成绝缘层；

在所述绝缘层上形成导电材料层的多个相互分离的条形部分；

在所述导电材料层的多个相互分离的条形部分上以及所述条形部分之间的所述绝缘层的部分上形成电介质层；以及

在所述电介质层上形成与所述导电材料层的多个相互分离的条形部分垂直的多晶硅或多晶硅锗层的多个相互分离的条形部分，所述导电材料层的每一个所述条形部分与所述多晶硅或多晶硅锗层的每一个所述条形部分的重叠之处形成有一个存储单元。

6.根据权利要求5所述的存储单元阵列，其中所述支撑衬底是高纯冶金级硅晶片、工艺硅片余料或低成本多晶硅形成的衬底，或者是绝缘衬底。

7.根据权利要求5-6中任一项所述的存储单元阵列，其中所述多晶硅层由通过激光退火形成的颗粒尺寸为50nm-100um的多晶硅形成。

8.一种一次性可编程存储单元阵列，包括：

形成在绝缘衬底上的导电材料层的多个相互分离的条形部分；

形成在所述导电材料层的多个相互分离的条形部分上以及所述条形部分之间的所述绝缘衬底的部分上的电介质层；以及

形成在所述电介质层上的与所述导电材料层的多个相互分离的条形部分垂直的多晶硅或多晶硅锗层的多个相互分离的条形部分，所述导电材料层的每一个所述条形部分与所述多晶硅或多晶硅锗层的每一个所述条形部分的重叠之处形成有一个存储单元。

9.根据权利要求8所述的存储单元阵列，其中所述多晶硅层由通过激光退火形成的颗粒尺寸为50nm-100um的多晶硅形成。

10.一种制造一次性可编程存储单元阵列的方法，包括如下步骤：

在绝缘衬底上形成导电材料层的多个相互分离的条形部分；

在所述导电材料层的多个相互分离的条形部分上以及所述条形部分之间的所述绝缘衬底的部分上形成电介质层；以及

在所述电介质层上形成与所述导电材料层的多个相互分离的条形部分垂直的多晶硅或多晶硅锗层的多个相互分离的条形部分，所述导电材料层的每一个所述条形部分与所述多晶硅或多晶硅锗层的每一个所述条形部分的重叠之处形成有一个存储单元。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述多晶硅层由通过激光退火形成的颗粒尺寸为50nm-100um的多晶硅形成。