[发明专利]半导体装置及其驱动方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

写字线；

读字线；

位线；

信号线；

包括第一存储单元和第二存储单元的存储单元阵列；

第一驱动器电路；以及

第二驱动器电路，

其中所述第一存储单元和所述第二存储单元各包括：

包括第一沟道形成区的第一晶体管，所述第一沟道形成区包括第一半导体材料；

包括第二沟道形成区的第二晶体管，所述第二沟道形成区包括第二半导体材料，其中所述第一半导体材料与所述第二半导体材料不同；以及

电容器，其中所述第一晶体管的栅极、所述第二晶体管的第二端子以及所述电容器的一个电极相互电连接，

其中所述第一存储单元的所述第一晶体管的第一端子和所述第二存储单元的所述第一晶体管的第二端子相互电连接，

其中所述第一驱动器电路通过所述位线电连接到所述第一存储单元的所述第一晶体管的第二端子，并且通过所述信号线电连接到所述第一存储单元的所述第二晶体管的第一端子，以及

其中所述第二驱动器电路通过所述读字线电连接到所述第一存储单元的所述电容器的另一个电极，并且通过所述写字线电连接到所述第一存储单元的所述第二晶体管的栅极。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一驱动器电路包括延迟电路。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其中，所述第一驱动器电路配置成使输入到所述信号线的信号相对于输入到所述写字线的信号延迟。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一驱动器电路包括串联连接的偶数个反相器。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述半导体装置包括电位转换电路，所述电位转换电路配置成向所述第二驱动器电路输出比电源电位更高的电位。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二驱动器电路包括电平移位电路，所述电平移位电路电连接到所述写字线和所述读字线其中之一。

7.如权利要求1所述的半导体装置，

其中，所述第一驱动器电路包括电连接到所述信号线的第一缓冲器电路，

其中，所述第二驱动器电路包括电连接到所述写字线的第二缓冲器电路，以及

其中，所述第一缓冲器电路的晶体管的沟道长度大于所述第二缓冲器电路的晶体管的沟道长度。

8.如权利要求1所述的半导体装置，还包括电连接到所述第二存储单元的所述第一晶体管的第一端子的源线。

9.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二沟道形成区包括氧化物半导体。

10.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一沟道形成区包括硅。

11.一种半导体装置，包括：

写字线；

读字线；

位线；

信号线；

包括第一存储单元和第二存储单元的存储单元阵列；

第一驱动器电路；以及

第二驱动器电路，

其中所述第一存储单元和所述第二存储单元各包括：

包括第一沟道形成区的第一晶体管，所述第一沟道形成区包括第一半导体材料；

包括第二沟道形成区的第二晶体管，所述第二沟道形成区包括第二半导体材料，其中所述第一半导体材料与所述第二半导体材料不同；以及

电容器，其中所述第一晶体管的栅极、所述第二晶体管的第二端子以及所述电容器的一个电极相互电连接，

其中所述第一存储单元的所述第一晶体管的第一端子和所述第二存储单元的所述第一晶体管的第二端子相互电连接，

其中所述第一驱动器电路通过所述位线电连接到所述第一存储单元的所述第一晶体管的第二端子，并且通过所述信号线电连接到所述第一存储单元的所述第二晶体管的第一端子，

其中所述第二驱动器电路通过所述读字线电连接到所述第一存储单元的所述电容器的另一个电极，并且通过所述写字线电连接到所述第一存储单元的所述第二晶体管的栅极，以及

其中所述第一存储单元的所述第二晶体管的所述第二端子和所述第二存储单元的所述第二晶体管的第一端子相互电连接。

12.如权利要求11所述的半导体装置，其中，所述第一驱动器电路包括延迟电路。