[发明专利]高稳定性非晶态金属氧化物TFT器件

权利要求书

1.一种高稳定性非晶态金属氧化物TFT器件，包括衬底、栅电极、栅绝缘介质层、非晶态金属氧化物构成的沟道层、源漏电极以及钝化层，其特征在于：沟道层包括至少一个由第一型材料构成的沟道保护层以及至少一个由第二型材料构成的沟道导电层。

2.如权利要求1的器件，其中，沟道保护层位于沟道导电层的上面和/或下面。

3.如权利要求1的器件，其中，第一型材料为掺有第三方金属元素X的In基氧化物，第二型材料为未掺有第三方金属元素的In基氧化物。

4.如权利要求1的器件，其中，第一型材料为非In基氧化物，第二型材料为In基氧化物。

5.如权利要求1的器件，其中，第一型材料中氧的含量高于第二型材料中氧的含量。

6.如权利要求1的器件，其中，第一型材料与第二型材料均为In基氧化物，第一型材料中非In元素的含量高于第二型材料中非In元素的含量。

7.如权利要求1的器件，其中，第一型材料与第二型材料均为Zn基氧化物，第一型材料中Zn元素的含量高于第二型材料中Zn元素的含量。

8.如权利要求3、4、6的器件，其中，In基氧化物包括XIZO、IZO、In₂O₃、IGO、ITO。

9.如权利要求3的器件，其中，第三方金属元素X包括Ga、Hf、Ta、Zr、Y、Al、Sn。

10.如权利要求4的器件，其中，非In基氧化物包括ZnO、AZO、ZTO、SnO_x。

11.如权利要求7的器件，其中，Zn基氧化物包括AZO、ZTO。

12.如权利要求1的器件，其中，沟道保护层厚度为1～50nm，沟道导电层厚度为5～150nm。

13.如权利要求1的器件，其中，衬底包括表面为绝缘层的硅片、玻璃、石英、塑料、背部镂空的硅片基底。

14.如权利要求1的器件，其中，栅电极的材料包括Mo、Pt、Al、Ti、Co、Au、Cu、多晶硅、TiN、TaN及其组合。

15.如权利要求1的器件，其中，栅绝缘介质层和/或钝化层的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、高k材料及其组合。

16.如权利要求1的器件，其中，非晶态金属氧化物包括掺In的ZnO基半导体，所述掺In的ZnO基半导体包括InGaZnO、InZnO、HfInZnO、TaInZnO、ZrInZnO、YInZnO、AlInZnO、SnInZnO。

17.如权利要求16的器件，其中，所述掺In的ZnO基半导体中[In]/([In]+[第三金属])的原子计数比为35％～80％，[Zn]/([In]+[Zn])的原子计数比为40％～85％。

18.如权利要求16的器件，其中，各元素原子计数比为[In]∶[第三金属]∶[Zn]∶[O]＝1∶1∶1∶1或者1∶1∶1∶2或者2∶2∶2∶1或者1∶1∶1∶4。

19.如权利要求1的器件，其中，所述非晶态金属氧化物包括In₂O₃、AZO、ZTO、ITO、IGO、ZnO、SnO_x。