[发明专利]在薄膜光伏器件中形成作为背接触的各向异性传导层的方法

权利要求书

1.一种在薄膜光伏器件10上形成背接触的方法，所述方法包括：

将各向异性传导膏施加到由n型薄膜层18和p型薄膜层20定义的p-n结；

固化所述各向异性传导膏，以在所述p-n结上形成各向异性传导层23；以及，

在所述各向异性传导层22上施加金属接触层24。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述各向异性传导膏包括聚合粘合剂和多个传导颗粒23。

3.如权利要求2所述的方法，其中，所述传导颗粒23具有足以横贯所述各向异性传导层22的尺寸，从而在所述p-n结和所述金属接触层24之间提供直接传导连接。

4.如权利要求2或3所述的方法，其中，所述各向异性传导层22定义了厚度，并且其中所述传导颗粒23具有的平均直径是：大约等于所述各向异性传导层22的厚度到比所述各向异性传导层22的厚度大约大50％。

5.如权利要求2、3、或4所述的方法，其中，所述传导颗粒23具有的平均直径为大约4μm到大约8μm，并且其中所述各向异性传导层22具有的厚度为大约4μm到大约6μm。

6.如前面权利要求任一项所述的方法，其中，所述传导颗粒23包括金属电镀玻璃珠，金属颗粒，金属电镀聚合珠或者其组合。

7.如前面权利要求任一项所述的方法，其中，所述各向异性传导层22进一步包含了惰性填充材料。

8.如前面权利要求任一项所述的方法，其中，所述各向异性传导层22在z方向上有大约0.1欧姆到大约100欧姆的电阻，以及其中，所述各向异性传导层22在x方向和y方向上具有的电阻均大于大约100千欧。 

9.如前面权利要求任一项所述的方法，其中，所述n型薄膜层18包括硫化镉，并且其中，所述p型薄膜层20包括碲化镉。

10.如权利要求9所述的方法，进一步包括：

在所述透明传导氧化层14和所述n型薄膜层18之间形成电阻透明缓冲层16。

11.如前面权利要求任一项所述的方法，进一步包括：

通过所述p型薄膜层20到所述玻璃衬底12形成第一绝缘划线21，以在所述器件中形成绝缘电池，其中，所述第一绝缘划线21形成所述各向异性传导层22的一部分并填充有所述聚合粘合剂和所述传导颗粒23。

12.如权利要求11所述的方法，其中放置在所述第一绝缘划线21之内的至少两个邻近的单独传导颗粒23定义了其之间的缝隙，以中断通过由所述各向异性膏层22定义的平面的电流。

13.如权利要求11或12所述的方法，其中所述第一绝缘划线具有的宽度是大约50μm到大约150μm，优选是大约75μm到大约125μm，以及其中，所述传导颗粒具有的直径是大约4μm到大约8μm。

14.一种在薄膜光伏器件10上形成背接触的方法，所述方法包括：

通过p-n结到在下面的玻璃衬底12形成第一绝缘划线21，以形成绝缘电池，其中所述p-n结由n型薄膜层18和p型薄膜层20定义；

通过所述p-n结到在所述玻璃衬底12和所述p-n结之间的透明传导氧化层14形成串联连接划线25；

将各向异性传导膏22施加到所述p-n结并填充所述串联连接划线25，以使邻近的电池彼此串联地电连接，其中，所述各向异性传导膏包括聚合粘合剂和多个传导颗粒23；

固化所述各向异性传导膏，以在所述p-n结上形成各向异性传导层22，其中，所述各向异性传导层22在z方向上具有大约0.1欧姆到 大约100欧姆的电阻，并且其中，所述各向异性传导层22在x方向和y方向上具有的电阻均大于大约100千欧，以及，

通过所述金属接触层24、所述各向异性传导层22、以及所述p-n结形成第二绝缘划线26。