[发明专利]半导体装置的驱动方法

权利要求书

1.一种半导体装置的驱动方法，该半导体装置包括：

第一晶体管、第二晶体管以及电容元件

其中，所述第一晶体管的源极和漏极中的一方及所述第二晶体管的源极和漏极中的一方电连接于位线，

所述第二晶体管的栅极电连接于写入字线，

所述第一晶体管的源极和漏极中的另一方电连接于源极线，

所述电容元件的一方电极电连接于写入及读出字线，

并且，所述第一晶体管的栅极、所述第二晶体管的源极和漏极中的另一方以及所述电容元件的另一方电极彼此电连接，以构成保持电荷的节点，

上述驱动方法包括如下步骤：

在写入期间中，将使所述第二晶体管成为导通状态的电位供应到所述写入字线，并且将接地电位供应到所述源极线，以将电荷存储在所述节点中；以及

在所述写入期间后的保持期间中，将接地电位供应到所述写入字线和所述写入及读出字线，并且将同一电位供应到所述源极线及所述位线，以保持所述节点中的电荷。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的驱动方法，其中在所述保持期间中将接地电位供应到所述源极线及所述位线。

3.根据权利要求1所述的半导体装置的驱动方法，其中所述第二晶体管的沟道形成区包含氧化物半导体。

4.根据权利要求1所述的半导体装置的驱动方法，其中所述第一晶体管为p沟道型晶体管。

5.一种包括存储单元的半导体装置的驱动方法，该存储单元的每一个包括：

第一晶体管、第二晶体管以及电容元件

其中，所述第一晶体管的源极和漏极中的一方及所述第二晶体管的源极和漏极中的一方电连接于位线，

所述第二晶体管的栅极电连接于写入字线，

所述第一晶体管的源极和漏极中的另一方电连接于源极线，

所述电容元件的一方电极电连接于写入及读出字线，

并且，所述第一晶体管的栅极、所述第二晶体管的源极和漏极中的另一方以及所述电容元件的另一方电极彼此电连接，以构成保持电荷的节点，

上述驱动方法包括如下步骤：

在写入期间中，将使所述第二晶体管成为导通状态的电位供应到所述写入字线，并且将接地电位供应到所述源极线，以将电荷存储在所述节点中；

在所述写入期间后的保持期间中，将接地电位供应到所述写入字线和所述写入及读出字线，并且将同一电位供应到所述位线及所述源极线，以保持所述节点中的电荷；以及

在读出期间中，将电源电位供应到与处于非选择状态的所述存储单元之一连接的所述写入及读出字线，并且将接地电位供应到与处于选择状态的所述存储单元之另一连接的所述写入及读出字线，以读出保持在所述处于选择状态的存储单元中的所述节点中的电荷。

6.根据权利要求5所述的半导体装置的驱动方法，其中在所述保持期间中将接地电位供应到所述源极线及所述位线。

7.根据权利要求5所述的半导体装置的驱动方法，其中所述第二晶体管的沟道形成区包含氧化物半导体。

8.根据权利要求5所述的半导体装置的驱动方法，其中所述第一晶体管为p沟道型晶体管。