[发明专利]催化生长形成的线表面上的金属催化剂残余物的除去方法无效
| 申请号： | 201110256270.5 | 申请日： | 2011-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN102412119A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 西蒙·佩罗;菲利普·科罗内尔 | 申请（专利权）人： | 原子能与替代能源委员会 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;张耀宏 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 催化 生长 形成 表面上 金属催化剂 残余物 除去 方法 | ||
1.一种由第一材料(3)制成且通过催化生长得到的固体结构的表面上存在的催化剂残余物(2)的除去方法，包括以下步骤：
-从所述催化剂残余物(2)催化生长由第二材料(4)制成的固体结构；
-选择性除去由第二材料(4)制成的所述固体结构。
2.根据权利要求1所述的催化剂残余物的除去方法，其中所述固体结构(3、4)是线，有利的是纳米线。
3.根据权利要求1或2所述的催化剂残余物的除去方法，其中所述催化剂(2)是金属催化剂，有利地选自包括铜、金、铂和铝的组。
4.根据前述权利要求中任一项所述的催化剂残余物的除去方法，其中所述第一材料选自包括硅、锗、硅-锗、二氧化硅、氧化铝、II-VI族半导体、III-V族半导体例如砷化镓的组，有利的是硅。
5.根据前述权利要求中任一项所述的催化剂残余物的除去方法，其中由第二材料(4)制成的所述固体结构利用湿法工艺或干法工艺通过蚀刻来选择性除去。
6.根据前述权利要求中任一项所述的催化剂残余物的除去方法，其中所述第二材料被给定溶液以快于侵蚀第一材料的速率化学侵蚀。
7.一种形成由第一材料(3)制成的固体结构的方法，包括以下步骤：
-从催化剂(2)催化生长由第一材料(3)制成的所述固体结构；
-通过利用根据权利要求1-6中任一项所述的方法除去所述固体结构(3)表面上存在的催化剂残余物(2)。
8.根据权利要求7所述的形成固体结构的方法，其中在催化生长由第一材料(3)制成的所述固体结构的步骤之后，通过蚀刻至少部分地除去所述催化剂(2)。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
