[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 201110255938.4 | 申请日： | 2011-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN102403339A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 石井孝明 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/739 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 高科 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
第1导电型基极层；
第2导电型基极层，设置在上述第1导电型基极层之上；
栅极绝缘膜，设置在从上述第2导电型基极层的表面达到上述第1导电型基极层的多个沟槽的侧壁；
第1导电型源极层，与上述栅极绝缘膜邻接地在上述第2导电型基极层的表面选择地设置；
栅电极，设置在上述沟槽内的上述栅极绝缘膜的内侧；以及
主电极，设置在上述第2导电型基极层的表面上及上述第1导电型源极层的表面上，并且设置在比上述沟槽内的上述栅电极及上述第2导电型基极层深的位置，与上述第2导电型基极层及上述第1导电型源极层电气连接。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
上述主电极具备：
表面电极，设置在上述第2导电型基极层的表面上、上述第1导电型源极层的表面上及上述沟槽之上；以及
埋入电极，从上述沟槽之上的上述表面电极到比上述栅电极深的位置在上述沟槽内沿深度方向延伸。
3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
一对上述栅电极设置在一个上述沟槽内，
上述埋入电极设置在一对上述栅电极间。
4.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
还具备设置在上述第1导电型基极层上的相邻的上述沟槽间的电气浮置状态的第2导电型半导体层。
5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，
上述栅电极设置在上述第1导电型源极层和上述埋入电极之间，
上述埋入电极设置在上述栅电极和上述第2导电型半导体层之间。
6.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，
上述第2导电型半导体层比上述第2导电型基极层深。
7.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，
上述沟槽将上述第2导电型基极层和上述第2导电型半导体层分离。
8.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，还具备：
集电极；和
第2导电型集电极层，设置在上述集电极和上述第1导电型基极层之间，
上述第2导电型基极层及上述第2导电型半导体层的第2导电型杂质浓度比上述集电极层低。
9.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，
上述第2导电型半导体层未设置有第1导电型的区域。
10.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
上述主电极具备：
表面电极，设置在上述第2导电型基极层的表面上及上述第1导电型源极层的表面上；以及
埋入电极，隔着绝缘膜地设置在上述沟槽内的上述栅电极之下。
11.如权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，
还具备在上述第1导电型基极层上的相邻的上述沟槽间设置的电气浮置状态的第2导电型半导体层。
12.如权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，
上述第2导电型半导体层比上述第2导电型基极层深。
13.如权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，
上述沟槽将上述第2导电型基极层和上述第2导电型半导体层分离。
14.如权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，还具备：
集电极；和
第2导电型集电极层，设置在上述集电极和上述第1导电型基极层之间，
上述第2导电型基极层及上述第2导电型半导体层的第2导电型杂质浓度比上述集电极层低。
15.如权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，
上述第2导电型半导体层未设置有第1导电型的区域。
16.如权利要求
10所述的半导体装置，其特征在于，
还具备设置在上述埋入电极和上述第1导电型基极层之间的第2绝缘膜。
17.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还具备：
集电极；和
第2导电型集电极层，设置在上述集电极和上述第1导电型基极层之间。
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