[发明专利]发光元件及其制作方法

权利要求书

1.一种发光元件，包含：一层第一披覆层、一层发光层、一层第二披覆层，及一个电极单元，该第一披覆层以半导体材料构成，该发光层设置于该第一披覆层上并在接受电能时将电能转换为光能，该第二披覆层设置于该发光层上并与该第一披覆层呈相反电性，该电极单元传送来自外界的电能至该发光层；其特征在于：该发光元件还包含一个铟镓氧化物，该铟镓氧化物设置于该第二披覆层上，且该铟镓氧化物的化学式为In_yGa_1-yO_xN_1-x，0＜y＜1，0＜x≤1。

2.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于：该铟镓氧化物包括多个自该第二披覆层向上凸伸的岛状结构。

3.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于：该铟镓氧化物包括一层形成于该第二披覆层上的层体。

4.根据权利要求3所述的发光元件，其特征在于：该铟镓氧化物还包括多个自该层体往远离该第二披覆层的方向凸伸的岛状结构

5.根据权利要求2或4所述的发光元件，其特征在于：所述岛状结构的平均径宽为30nm～300nm，平均高度为10nm～20nm。

6.根据权利要求2或4所述的发光元件，其特征在于：两相邻的岛状结构的间距大于100nm。

7.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于：还包含一层遮覆该铟镓氧化物的透明导电层。

8.根据权利要求7所述的发光元件，其特征在于：该透明导电层的材料是异于该铟镓氧化物的金属氧化物或金属薄膜。

9.一种发光元件的制作方法，其特征在于：该发光元件的制作方法包含：一个磊晶步骤，及一个电极设置步骤，该磊晶步骤以有机金属化学气相沉积法的方式依序在一个基材上形成一个第一披覆层、一个在接受电能时将电能转换为光能的发光层、一个与该第一披覆层呈相反电性的第二披覆层，及一个化学式为In_yGa_1-yO_xN_1-x的铟镓氧化物，0＜y＜1，0＜x≤1，该电极设置步骤形成一个可传送来自外界的电能至该发光层的电极单元。

10.根据权利要求9所述的发光元件的制作方法，其特征在于：该磊晶步骤是导入作为镓源的三甲基镓、作为铟源的三甲基铟、作为氧源的含氧化物，及作为载体的氮气成长该铟镓氧化物。

11.根据权利要求10所述的发光元件的制作方法，其特征在于：该磊晶步骤中的含氧化物选自H₂O、O₂、CO₂、CO，及前述物质的一组合。

12.根据权利要求9所述的发光元件的制作方法，其特征在于：还包含一个透明导电层形成步骤，利用物理气相沉积法于该铟镓氧化物表面形成一层以金属氧化物或金属薄膜为主要材料所构成的透明导电层，且该透明导电层的材料异于该铟镓氧化物。