[发明专利]一种采用非晶合金磁环结构的巨磁电阻效应电流传感器

权利要求书

1.一种采用非晶合金磁环结构的巨磁电阻效应电流传感器，其特征在于该巨磁电阻效应电流传感器包括非晶合金磁环、直流恒流源、直流偏磁线圈、多层膜巨磁电阻效应芯片、仪表放大器、运算放大器、电压跟随电阻、模数转换器和数码管显示器；被测导线穿过非晶合金磁环；所述的直流偏磁线圈绕在非晶合金磁环上，直流恒流源为直流偏磁线圈供电；所述的非晶合金磁环有一个气隙，所述的多层膜巨磁电阻效应芯片置于非晶合金磁环的气隙中；所述的多层膜巨磁电阻效应芯片的正输出端和负输出端分别与所述的仪表放大器的同相输入端和反相输入端连接，仪表放大器的输出端与所述的运算放大器的同相输入端连接；所述的电压跟随电阻并联在运算放大器的反相输入端和输出端，运算放大器的输出端与所述的模数转换器的输入端连接，模数转换器的输出端与所述的数码管显示器连接。

2.如权利要求1所述的巨磁电阻效应电流传感器，其特征在于其中所述的非晶合金磁环的半径r＝5cm，非晶合金磁环的厚度l＝1cm，非晶合金磁环上气隙的宽度d＝1cm，非晶合金磁环的宽度h＝2cm。