[发明专利]基板粘合装置以及基板粘合方法有效
申请号: | 201110255380.X | 申请日: | 2011-08-10 |
公开(公告)号: | CN102386118A | 公开(公告)日: | 2012-03-21 |
发明(设计)人: | 黄载锡 | 申请(专利权)人: | 丽佳达普株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;吕俊刚 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 粘合 装置 以及 方法 | ||
1.一种基板粘合装置,该基板粘合装置包括:
腔体;
上表面板,所述上表面板被布置在所述腔体内部,并且所述上表面板包括用于粘结上基板的粘结部件、和进行膨胀以使所述上基板与所述粘结部件分离的隔膜;
下表面板,所述下表面板被布置在所述腔体内部,所述下表面板与所述上表面板相对,并且所述下表面板支撑要被粘合到所述上基板的下基板;
下表面板升降驱动器,所述下表面板升降驱动器驱动所述下表面板;以及
控制器,所述控制器控制所述下表面板升降驱动器以在所述隔膜开始膨胀之后使所述下表面板向下移动。
2.根据权利要求1所述的基板粘合装置,其中,当所述隔膜膨胀时,所述控制器控制所述升降驱动器以使所述下表面板开始向下移动。
3.根据权利要求2所述的基板粘合装置,其中,当所述下表面板向下移动时,所述控制器控制所述上表面板向上移动。
4.根据权利要求1所述的基板粘合装置,其中,当所述隔膜膨胀时,所述控制器控制所述下表面板以第一速度向下移动预定时间段,并且在经过了所述预定时间段之后,所述控制器控制所述下表面板以比所述第一速度快的第二速度向下移动。
5.根据权利要求4所述的基板粘合装置,其中,所述第一速度的范围为从0.05mm/sec到0.5mm/sec,并且所述第二速度的范围为从0.6mm/sec到1.5mm/sec。
6.根据权利要求1所述的基板粘合装置,其中,在所述隔膜膨胀之前,所述控制器控制所述上表面板朝着所述下表面板向下移动,并且在所述上表面板向下移动预定距离之后,所述控制器控制所述隔膜进行膨胀。
7.一种基板粘合方法,该基板粘合方法包括以下步骤:
将上基板粘结到包括粘结部件的上表面板,并且将下基板固定到下表面板上;
使腔体真空化;以及
开始使设置在所述上表面板中的隔膜膨胀以使已粘结的上基板与所述上表面板分离,并且在所述隔膜开始膨胀之后使所述下表面板向下移动。
8.根据权利要求7所述的基板粘合方法,其中,当所述隔膜膨胀时所述下表面板开始向下移动。
9.根据权利要求8所述的基板粘合方法,其中,当所述下表面板向下移动时所述上表面板向上移动。
10.根据权利要求7所述的基板粘合方法,其中,当所述隔膜膨胀时,所述下表面板以第一速度向下移动预定时间段,并且在经过了所述预定时间段之后,所述下表面板以比所述第一速度快的第二速度向下移动。
11.根据权利要求10所述的基板粘合方法,其中,所述第一速度的范围为从0.05mm/sec到0.5mm/sec,并且所述第二速度的范围为从0.6mm/sec到1.5mm/sec。
12.根据权利要求7所述的基板粘合方法,其中,在所述隔膜膨胀之前,所述上表面板朝着所述下表面板向下移动,并且在所述上表面板向下移动预定距离之后所述隔膜膨胀。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造