[发明专利]一种等离子体降解黄曲霉毒素的装置及其应用无效
申请号: | 201110254907.7 | 申请日: | 2011-08-31 |
公开(公告)号: | CN102334624A | 公开(公告)日: | 2012-02-01 |
发明(设计)人: | 王世清;张岩;姜文利;邵焕霞;蒲传奋;董晓娜;张花利 | 申请(专利权)人: | 青岛农业大学 |
主分类号: | A23L1/015 | 分类号: | A23L1/015 |
代理公司: | 青岛联智专利商标事务所有限公司 37101 | 代理人: | 崔滨生 |
地址: | 266109 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 等离子体 降解 黄曲霉 毒素 装置 及其 应用 | ||
技术领域
本发明属于物理降解黄曲霉毒素领域,具体涉及一种等离子体降解黄曲霉毒素的装置及其应用。
背景技术
黄曲霉菌(Aspergillus flavus)是一种极易存在于花生、玉米、麦类、稻谷等农产品中的菌类。当农产品受到黄曲霉感染后不仅容易造成腐败,而且,黄曲霉在生长过程中产生的代谢产物黄曲霉毒素(Aflatoxin,AFT)是目前发现的化学致癌物中最强的物质之一,主要损害肝脏功能并有强烈的致癌、致畸、致突变作用,可诱发肝癌、骨癌、肾癌、直肠癌、乳腺癌、卵巢癌等,严重威胁人类的健康,已被世界卫生组织(WHO)列为已知的最强致癌物,受到世界各国的广泛关注。目前,为保障人类的食品安全,各个国家针对黄曲霉毒素的检验日益严格。新加坡、马来西亚、丹麦等国要求进口花生及制品中不得检出黄曲霉毒素,英国、瑞典、荷兰、意大利、波兰、澳大利亚等国要求黄曲霉毒素含量不得高于5 μg/kg,日本要求不得高于10 μg/kg,加拿大、美国及多数东南亚国家要求不得高于20 μg/kg,农产品出口“门槛”由此提高。特别是近年来,中国农产品出口屡遭黄曲霉毒素超标技术性壁垒,给生产者和企业带来巨大的经济损失。
霉菌的生长对环境的要求较低,只需极少量的碳与氮就能生长、繁殖、产毒,可在种植、贮运、加工等环节污染农产品并产生毒素。上世纪60年代以来,对黄曲霉毒素的脱除方法进行了大量研究,以往报道多是采用化学试剂除毒,然而经研究调查发现,大部分化学处理存在诸多缺陷,如须在极端的温度和压力条件下进行、有毒残留物的形成和对产品营养、感官及功能特性的破坏等。以生物化学的防治方法也由于成本较高和技术的原因而不能大力应用和推广。
发明内容
针对现有技术中化学处理方法存在的化学药剂污染、破坏产品的营养成分,以及生物防治方法存在的处理成本过高等问题,本发明提供了一种等离子体降解黄曲霉毒素的装置及其应用,本发明所述装置基于物理等离子体法处理物料,能高效、快捷、安全地处理黄曲霉毒素,达到降解黄曲霉毒素的目的,可以实现无药物熏蒸,具有无污染、绿色环保性、保持高品质、低管理成本和低技术门槛等效果。
为了达到解决上述技术问题的目的,本发明采用以下技术方案:
一种等离子体降解黄曲霉毒素的装置,它包括等离子体发射器、水冷却器、等离子体发生器和处理器,所述等离子体发射器与水冷却器连接,所述水冷却器与等离子体发生器连接,在所述等离子体发生器内设有等离子发生仓和可调节间距的等离子体电极,所述等离子发生器与所述处理器之间通过连接管连接,所述处理器外接调节装置内气体密度的真空泵。
对技术方案的进一步改进:所述等离子体发射器的作用功率为100-200W。
对技术方案的进一步改进:所述等离子体发射器的作用时间为30-90s。
对技术方案的进一步改进:所述等离子体电极的极距范围为2-6cm。
本发明还提供了所述的装置在降解物料中黄曲霉毒素中的应用。
对技术方案的进一步改进:所述物料为花生、玉米、麦类、稻谷。
与现有技术相比,本发明的优点和积极效果是:本发明利用等离子体处理黄曲霉毒素,省去了可能带来食品安全隐患的化学处理过程,有效地保持原料的品质,降低管理风险和成本,实现了绿色降解黄曲霉毒素的目标,降解率可以达到50%以上;而且本发明所述装置操作简单,技术门槛低;本发明极大地降低了处理成本,降低了劳动强度。
结合附图阅读本发明的具体实施方式后,本发明的其他特点和优点将变得更加清楚。
附图说明
图1是本发明等离子体降解黄曲霉毒素装置的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式对本发明的技术方案作进一步详细的说明。
实施例1
本发明是一种基于物理处理、能高效、快捷、安全降解黄曲霉毒素的处理装置。本发明所述等离子体降解黄曲霉毒素的装置包括等离子体发射器1、水冷却器2、等离子体发生器9和处理器10,所述等离子体发射器1与水冷却器2连接,所述水冷却器2与等离子体发生器9连接,水冷却器2内部流动循环水,用于降低等离子体的温度,以减少对物料的损害。在所述等离子体发生器9内设有等离子发生仓4和等离子体电极3,所述等离子体电极3的两极间距可调节。所述等离子发生器9与所述处理器10之间通过连接管5相连接,所述处理器10外接调节装置内气体密度的真空泵8。所述处理器内设有处理仓6,所述处理仓6用于处理物料。等离子体发射器1可以根据不同的处理对象调节各工艺参数(作用功率、作用时间等),以调节等离子体发射条件。
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