[发明专利]管理对于非易失性半导体存储器的存取的存储器管理装置及方法

说明书

相关申请的交叉引用 

本申请基于2010年9月17日提交的日本专利申请2010-209997号公报并要求其优先权，该日本专利申请的全部内容通过引用的方式结合在此。 

技术领域

本发明的实施方式总体涉及管理对于非易失性半导体存储器的存取的存储器管理装置及存储器管理方法。 

背景技术

以往，使用下述技术：具备与非易失性半导体存储器相比能够高速地进行存取的暂时存储装置，通过将存储于非易失性半导体存储器的数据存储在该暂时存储装置中而使存取高速化。 

在这样的现有的存取高速化技术中，先将非易失性半导体存储器所存储的连续数据之中接下来要存取的数据存储于暂时存储装置。然后，对于暂时存储装置执行对于连续数据的存取。 

发明内容

本发明提供能够高速地对存储于非易失性半导体存储器的数据进行存取的存储器管理装置以及管理方法。 

总体地，根据一实施方式，存储器管理装置包括历史管理部、地址变换表、地址管理部以及数据管理部。所述历史管理部管理对于存储于非易失性半导体存储器的数据的存取历史。所述地址变换表包含与所述数据相 对应的逻辑地址与物理地址的变换表。地址管理部基于所述存取历史来确定在对于存储于所述非易失性半导体存储器的第一数据的存取之后被存取的第二数据，将对应于所述第二数据的第二物理地址与对应于所述第一数据的第一逻辑地址相对应地登记于所述地址变换表。数据管理部将所述第二数据从所述非易失性半导体存储器读取到缓冲器。 

根据本发明的实施方式，提供能够高速地对存储于非易失性半导体存储器的数据进行存取的存储器管理装置以及管理方法。 

附图说明

图1是表示第一实施方式所涉及的存储器管理装置的结构的一例的框图。 

图2是表示第一实施方式所涉及的地址变换表、历史表、预读表的构成的一例的图。 

图3是表示第一实施方式所涉及的存储器管理装置的处理部的存取工作的前半部分的一例的流程图。 

图4是表示第一实施方式所涉及的存储器管理装置的处理部的存取工作的后半部分的一例的流程图。 

图5是表示第二实施方式所涉及的地址变换表的一例的图。 

图6是表示第三实施方式所涉及的非易失性半导体存储器的构成的一例的图。 

图7是表示第三实施方式所涉及的地址变换表、历史表与地址分配结果的关系的一例的图。 

图8是表示第四实施方式所涉及的地址变换表、历史表、预读表的构成的一例的图。 

图9是表示第四实施方式所涉及的存储器管理装置的处理部的存取工作的前半部分的一例的流程图。 

图10是表示第四实施方式所涉及的存储器管理装置的处理部的存取工作的后半部分的一例的流程图。 

图11是表示第五实施方式所涉及的预读表、地址变换表与软件的关系的一例的框图。 

具体实施方式

以下，参照附图对各实施方式进行说明。另外，在以下的各图中，对于相同或大致相同的要素附加相同的符号并省略说明或者简单地说明，仅对于不同的部分详细地进行说明。 

(第一实施方式) 

图1是表示本实施方式所涉及的存储器管理装置的结构的一例的框图。 

信息处理装置1具备处理器2、存储器管理装置3和存储装置4。处理器2和存储器管理装置3也可以包括例如SoC(System-on-a-Chip，片上系统)。 

存储器管理装置3，从处理器2接收存取对象数据的地址，并将存取结果返回处理器2。在本实施方式中，所谓存取，指与读取和写入之中的至少一方有关的工作。 

例如，存储器管理装置3，若从处理器2接收读取对象数据的逻辑地址，则将逻辑地址变换为物理地址，从存储装置4读取与物理地址相对应的读取对象数据，将读取对象数据返回处理器2。 

此外，例如，存储器管理装置3，若从处理器2接收写入对象数据和该写入对象数据的逻辑地址，则将逻辑地址变换为物理地址，将写入对象数据写入与物理地址相对应的存储装置4的位置。接着，存储器管理装置3将表示写入是否成功的信息返回处理器2。