[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

第一芯片ID发生单元，所述第一芯片ID发生单元被配置为经由第一穿通硅通孔接收使能信号以及经由第二穿通硅通孔接收时钟信号，并产生第一芯片ID信号和延迟了的使能信号；

第二芯片ID发生单元，所述第二芯片ID发生单元被配置为接收时钟信号以及经由第三穿通硅通孔从所述第一芯片ID发生单元接收所述延迟了的使能信号，并产生第二芯片ID信号；

第一芯片选择信号发生单元，所述第一芯片选择信号发生单元被配置为接收所述第一芯片ID信号和主ID信号并产生第一芯片选择信号；以及

第二芯片选择信号发生单元，所述第二芯片选择信号发生单元被配置为接收所述第二芯片ID信号和所述主ID信号并产生第二芯片选择信号。

2.如权利要求1所述的半导体装置，还包括主芯片，所述主芯片包括传送所述使能信号、所述时钟信号和所述主ID信号的控制器，并且所述时钟信号是基于外部时钟产生的。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其中，所述时钟信号具有比所述外部时钟的周期长的周期。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一芯片ID发生单元包括：

第一编码信号发生部，所述第一编码信号发生部被配置为经由所述第一穿通硅通孔接收所述使能信号，并产生所述延迟了的使能信号和第一编码信号；以及

第一编码部，所述第一编码部被配置为对所述第一编码信号进行编码并产生所述第一芯片ID信号。

5.如权利要求4所述的半导体装置，其中，所述第二芯片ID发生单元包括：

第二编码信号发生部，所述第二编码信号发生部被配置为经由所述第三穿通硅通孔接收所述延迟了的使能信号并产生第二编码信号；以及

第二编码部，所述第二编码部被配置为对所述第二编码信号进行编码并产生所述第二芯片ID信号。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述时钟信号经由所述第二穿通硅通孔被传送到所述第二芯片ID发生单元。

7.如权利要求6所述的半导体装置，其中，所述第二穿通芯片通孔和第四穿通芯片通孔并联连接。

8.如权利要求7所述的半导体装置，其中，所述第一穿通硅通孔和第三穿通硅通孔被形成为与直线对齐。

9.如权利要求1所述的半导体装置，还包括：

第一再分配层，所述第一再分配层被配置为将所述第一芯片ID发生单元和第一芯片区域中的所述第一穿通硅通孔电连接；以及

第二再分配层，所述第二再分配层被配置为将所述第一芯片区域中的所述第一穿通芯片通孔与所述第二芯片ID发生单元电连接。

10.如权利要求9所述的半导体装置，还包括：

金属线，所述金属线被配置为将所述第一芯片ID发生单元与所述第一再分配层电连接。

11.如权利要求9所述的半导体装置，还包括：

金属线和凸块，所述金属线和凸块被配置为将所述第二再分配层与所述第二芯片ID发生单元电连接。

12.一种半导体装置，包括：

第一芯片ID发生单元，所述第一芯片ID发生单元被配置为接收时钟信号以及经由第一穿通硅通孔接收使能信号，并产生第一芯片ID信号和转换了的使能信号；

第二芯片ID发生单元，所述第二芯片ID发生单元被配置为接收所述时钟信号以及经由第二穿通硅通孔接收所述转换了的使能信号，并产生第二芯片ID信号；

选择ID发生单元，所述选择ID发生单元被配置为提供所述第一芯片ID信号和第一替换ID信号之一作为第一选择ID信号，并提供所述第二芯片ID信号和第二替换ID信号之一作为第二选择ID信号；以及

芯片选择信号发生单元，所述芯片选择信号发生单元被配置为接收所述第一选择ID信号和所述第二选择ID信号以及主ID信号，并产生第一芯片选择信号和第二芯片选择信号。

13.如权利要求12所述的半导体装置，其中所述使能信号、所述时钟信号和所述主ID信号是从主芯片传送的。