[发明专利]晶体材料光吸收系数的测量方法无效

专利信息
申请号: 201110254195.9 申请日: 2011-08-31
公开(公告)号: CN102435583A 公开(公告)日: 2012-05-02
发明(设计)人: 沈华;朱日宏;李建欣;陈磊;何勇;高志山;王青;张志聪;黄亚 申请(专利权)人: 南京理工大学
主分类号: G01N21/45 分类号: G01N21/45
代理公司: 南京理工大学专利中心 32203 代理人: 朱显国
地址: 210094 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 晶体 材料 光吸收 系数 测量方法
【权利要求书】:

1.一种晶体材料光吸收系数的测量方法,其特征在于,包括以下步骤:

步骤1、将高功率的抽运光入射到晶体(2)表面,使其产生热形变;

步骤2、用干涉仪发射出一个标准平面波,平面波通过被抽运激光作用的晶体(2)表面后,经平面反射镜(4)将平面波按原路反射回来,再次经过晶体(2)表面后进入干涉仪(5),并与标准平面波相遇发生干涉,得到干涉图;其中干涉仪与晶体(2)的角度和平面反射镜(4)与晶体(2)的角度相同;

步骤3、根据干涉图,通过相位解包算法得到晶体(2)表面的热形变量,通过建立晶体热形变与吸收系数的理论模型得到晶体的吸收系数。

2.根据权利要求1所述的一种晶体材料光吸收系数的测量方法,其特征在于,步骤1中的抽运激光装置(1)架设在一个稳定平台上,并向下照射晶体表面;由于采用了高功率连续激光照射,晶体(2)会吸收激光的能量,其中的绝大部分能量转换为晶体的热变形。

3.根据权利要求1所述的一种晶体材料光吸收系数的测量方法,其特征在于,步骤2中的干涉仪与晶体表面成45度放置,平行光入射晶体变形表面,经晶体(2)反射后入射到平面反射镜(4),此平面反射镜(4)与晶体(2)也成45度放置,由于变形量很小,我们可以近似认为光线是按原路返回而没有反生偏转,并再次入射到晶体(2)表面后,反射后的出射光与参考光进行干涉,并通过CCD(6)采集得到的干涉条纹。

4.根据权利要求1所述的一种晶体材料光吸收系数的测量方法,其特征在于,步骤3通过编写的相位解包程序可以得到晶体表面的形变量,根据公式

算出晶体的光吸收系数;其中表示抽运激光功率,为抽运激光光束口径的直径,为抽运激光导致晶体热变形区域的径向距离, 

为温度场边界半径,为晶体的热传导率, 为激光晶体z向热膨胀系数。

5.根据权利要求1所述的一种晶体材料光吸收系数的测量方法,其特征在于,步骤一所述的干涉仪可以是菲索干涉仪(5)。

6.根据权利要求3所述的一种晶体材料光吸收系数的测量方法,其特征在于,干涉仪与晶体(2)角度和平面反射镜(4)与晶体(2)角度也可以为其他角度。

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