[发明专利]一种晶体生长制备系统无效
| 申请号： | 201110254128.7 | 申请日： | 2011-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN102304753A | 公开（公告）日： | 2012-01-04 |
| 发明（设计）人： | 王彪;王云华 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 禹小明;林伟斌 |
| 地址： | 510275 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶体生长 制备 系统 | ||
1.一种晶体生长制备系统，包括石英筒（10）、设置于石英筒内的保温罩（20）以及设置于保温罩内部的坩埚（30），其特征在于：所述保温罩内在坩埚外围设有内层保温罩（21），所述石英筒底部与保温罩底部之间设有阻止热量向底部散失的圆盘（11）。
2.根据权利要求1所述的晶体生长制备系统，其特征在于：所述保温罩与内层保温罩之间的间隔为5-15mm。
3.根据权利要求2所述的晶体生长制备系统，其特征在于：所述保温罩与内层保温罩之间的间隔为5mm。
4.根据权利要求3所述的晶体生长制备系统，其特征在于：所述保温罩为圆柱状保温罩。
5.根据权利要求4所述的晶体生长制备系统，其特征在于：所述保温罩包括可拆装的上保温罩（201）和下保温罩（202）。
6.根据权利要求1所述的晶体生长制备系统，其特征在于：所述保温罩顶部设有圆孔（22）。
7.根据权利要求1所述的晶体生长制备系统，其特征在于：所述保温罩设有观察孔（23）。
8.根据权利要求7所述的晶体生长制备系统，其特征在于：所述内层保温罩设有缺口（24），该缺口与所述观察孔设置在同一直线上。
9.根据权利要求1所述的晶体生长制备系统，其特征在于：所述石英筒与保温罩之间设有锆沙层（40）。
10.根据权利要求1-9任一所述的晶体生长制备系统，其特征在于：所述石英筒底部与圆盘底部设有连通的底孔（25），底孔内设有与坩埚底部接触的热电偶（50）,所述热电偶与欧陆表（60）连接，所述欧陆表通过数据线（71）与计算机（70）连接。
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