[发明专利]存储元件和存储器件

权利要求书

1.一种存储元件，包括：

存储层，具有垂直于膜面的磁化并且其磁化方向对应于信息而改变；

磁化固定层，具有垂直于所述膜面且成为存储在所述存储层中的信息的基准的磁化；以及

绝缘层，设置在所述存储层和所述磁化固定层之间并由非磁性层构成，

其中，沿具有所述存储层、所述绝缘层和所述磁化固定层的层结构的层压方向注入自旋极化电子，从而磁化方向改变，并对所述存储层执行信息的记录，以及

所述存储层接收的有效抗磁场的强度小于所述存储层的饱和磁化量。

2.根据权利要求1所述的存储元件，

构成所述存储层的铁磁材料是Co-Fe-B。

3.根据权利要求2所述的存储元件，

其中，所述Co-Fe-B的组成是(Co_x-Fe_y)_100-z-B_z，

这里，0≤Co_x≤40，

60≤Fe_y≤100且

0＜B_z≤30。

4.根据权利要求2所述的存储元件，

其中，所述Co-Fe-B的组成是(Co_x-Fe_y)_100-z-B_z，

这里，0≤Co_x≤40，

60≤Fe_y≤100且

20＜B_z≤40。

5.一种存储器件，包括：

存储元件，通过磁性材料的磁化状态保持信息；以及

相互交叉的两种配线，

其中，所述存储元件包括，

存储层，具有垂直于膜面的磁化且其磁化方向对应于信息而改变，

磁化固定层，具有垂直于所述膜面且成为存储在所述存储层中的信息的基准的磁化，以及

绝缘层，设置在所述存储层和所述磁化固定层之间并由非磁性层构成，

沿具有所述存储层、所述绝缘层和所述磁化固定层的层结构的层压方向注入自旋极化电子，从而磁化方向改变，并对所述存储层执行信息的记录，

所述存储层接收的有效抗磁场的强度小于所述存储层的饱和磁化量，

所述存储元件设置在所述两种配线之间，以及

通过所述两种配线，所述层压方向上的电流流入所述存储元件)，从而将自旋极化电子注入所述存储元件。