[发明专利]导电玻璃及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201110253133.6 申请日: 2011-08-30
公开(公告)号: CN102950829A 公开(公告)日: 2013-03-06
发明(设计)人: 白京华;王杏娟;强骥鹏;何进 申请(专利权)人: 中国南玻集团股份有限公司
主分类号: B32B9/04 分类号: B32B9/04;B32B17/00;C03C17/34
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 何平
地址: 518047 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 导电 玻璃 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种导电玻璃,包括透明玻璃基底,其特征在于,所述导电玻璃还包括依次层叠在所述透明玻璃基底上的杂质阻挡层及导电功能层,所述杂质阻挡层为层叠的金属氧化物层和氧化硅层;或为金属氧化物和氧化硅的混合物层。

2.根据权利要求1所述的导电玻璃,其特征在于:所述金属氧化物为氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化锌中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的导电玻璃,其特征在于:所述杂质阻挡层的折射率为1.53~1.95。

4.根据权利要求1所述的导电玻璃,其特征在于:所述导电功能层包括依次层叠的致密形核层、主体导电层及封端层,所述封端层的载流子浓度大于所述主体导电层的载流子浓度。

5.根据权利要求4所述的导电玻璃,其特征在于:所述致密形核层的材料为掺杂氟的氧化锡。

6.根据权利要求4所述的导电玻璃,其特征在于:所述主体导电层的材料为掺杂氟的氧化锡。

7.根据权利要求6所述的导电玻璃,其特征在于:所述主体导电层的载流子浓度为1~3×1020cm-3,所述主体导电层的载流子迁移率为30~60cm2v-1s-1

8.根据权利要求4所述的导电玻璃,其特征在于:所述封端层的材料为氟、锑共掺杂的氧化锡。

9.根据权利要求8所述的导电玻璃,其特征在于:所述封端层的载流子浓度为1~3.0×1021cm-3

10.一种导电玻璃的制备方法,其特征在于,包括采用化学气相沉积法、喷雾热解法、溶胶-凝胶法、溶液浸涂法、纳米粒子印刷法、磁控溅射法和热蒸发法中的一种,在透明玻璃基底上依次沉积杂质阻挡层及导电功能层。

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