[发明专利]高精度振荡器

权利要求书

1.一种高精度振荡器，其特征在于，其包括第一振荡单元和第二振荡单元，其中每个振荡单元包括产生参考峰值电压的电阻、产生一比较电压的电容、第一电流源、比较所述参考峰值电压和所述比较电压的比较电路和放电控制电路，

基于第一振荡单元的第一电流源提供的电流对第一振荡单元的电容进行充电，第一振荡单元的比较电路在第一振荡单元中的比较电压大于或等于第一振荡单元中的参考峰值电压时，通知第一振荡单元的放电控制电路开始放电和第二振荡单元的放电控制电路停止放电，

基于第二振荡单元的第一电流源提供的电流对第二振荡单元的电容进行充电，第二振荡单元的比较电路在第二振荡单元中的比较电压大于或等于第一振荡单元中的参考峰值电压时，通知第二振荡单元的放电控制电路开始放电和第一振荡单元的充放电控制电路停止放电。

2.根据权利要求1所述的高精度振荡器，其特征在于：所述第一振荡单元和第二振荡单元共享一逻辑电路，所述逻辑电路包括第一或非门和第二或非门，每个振荡单元还包括第二电流源，

所述第一振荡单元中的比较电路包括第三NMOS管、第四NMOS管和第一反相器，第一振荡单元中的放电控制电路包括第一NMOS管，其中第一振荡单元中的第二电流源的一端接电压，另一端接第三NMOS管的漏极，所述第三NMOS管的源极与地之间连接第一振荡单元中产生参考峰值电压的电阻，第一振荡单元中的第一电流源的一端接电压，另一端接第四NMOS管的漏极，所述第四NMOS管的源极与地之间连接第一振荡单元中产生比较电压的电容，第三NMOS管和第四NMOS管的栅极连接，第一NMOS管与第一振荡单元中产生比较电压的所述电容并联，第四NMOS管的漏极连接第一反相器的输入端，

所述第二振荡单元中的比较电路包括第五NMOS管、第六NMOS管和第二反相器，第二振荡单元中的放电控制电路包括第二NMOS管，其中第二振荡单元中的第二电流源的一端接电压，另一端接第五NMOS管的漏极，所述第五NMOS管的源极与地之间连接第二振荡单元中产生参考峰值电压的电阻，第二振荡单元中的第一电流源的一端接电压，另一端接第六NMOS管的漏极，所述第六NMOS管的源极与地之间连接第二振荡单元中产生比较电压的电容，第二NMOS管与第二振荡单元中产生比较电压的所述电容并联，第六NMOS管的漏极连接第二反相器的输入端，

第一反相器的输出与第一或非门的第一输入端连接，第一NMOS管的栅极与第一或非门的第二输入端以及第二或非门的输出端连接，第一或非门的输出端与第二NMOS管的栅极以及第二或非门的第一输入端连接，第二反相器的输出与第二或非门的第二输入端连接。

3.根据权利要求2所述高精度振荡器，其特征在于：所述第三NMOS管和第四NMOS管的长宽比相等，所述第五NMOS管和第六NMOS管的长宽比相等，第一振荡单元中的第一电流源和第二电流源提供的电流相等，第二振荡单元中的第一电流源和第二电流源提供的电流相等。

4.根据权利要求1-3任一所述的高精度振荡器，其特征在于：所述振荡器还包括一校准信号产生模块，其通过比较参考高频信号和振荡器输出的目标低频信号生成校准信号，所述校准信号用于校准第一振荡单元和第二振荡单元中所述产生参考峰值电压的电阻、产生比较电压的电容或第一电流源输出的电流以输出目标低频信号。

5.一种高精度振荡器，其特征在于，其包括第一振荡单元和第二振荡单元，其中两个振荡单元共享一个产生参考峰值电压的电阻，每个振荡单元还包括产生一比较电压的电容、第一电流源、比较所述参考峰值电压和所述比较电压的比较电路和放电控制电路，

基于第一振荡单元的第一电流源提供的电流对第一振荡单元的电容进行充电，第一振荡单元的比较电路在第一振荡单元中的比较电压大于或等于所述参考峰值电压时，通知第一振荡单元的放电控制电路开始放电和第二振荡单元的放电控制电路停止放电，

基于第二振荡单元的第一电流源提供的电流对第二振荡单元的电容进行充电，第二振荡单元的比较电路在第二振荡单元中的比较电压大于或等于所述参考峰值电压时，通知第二振荡单元的放电控制电路开始放电和第一振荡单元的放电控制电路停止放电。