[发明专利]旋转磁场传感器

权利要求书

1.一种旋转磁场传感器，检测基准位置中的旋转磁场的方向相对于基准方向形成的角度，其特征在于，具备：

第1检测部，在第1位置中检测所述旋转磁场；以及

第2检测部，在第2位置中检测所述旋转磁场，

所述第1检测部具有：第1检测电路，检测所述旋转磁场的第1方向的成分的强度，输出表示该强度的信号；以及第2检测电路，检测所述旋转磁场的第2方向的成分的强度，输出表示该强度的信号，

所述第2检测部具有：第3检测电路，检测所述旋转磁场的第3方向的成分的强度，输出表示该强度的信号；以及第4检测电路，检测所述旋转磁场的第4方向的成分的强度，输出表示该强度的信号，

所述第1到第4检测电路分别包含至少1个磁检测元件，

所述第1到第4检测电路的输出信号以相互相等的信号周期而周期性变化，

所述第3检测电路的输出信号的相位与所述第1检测电路的输出信号的相位不同，

所述第4检测电路的输出信号的相位与所述第2检测电路的输出信号的相位不同，

旋转磁场传感器还具备：

第1运算电路，基于所述第1和第3检测电路的输出信号生成第1信号，该第1信号与所述旋转磁场的第1方向的成分的强度和所述旋转磁场的第3方向的成分的强度的双方具有对应关系，并且与所述第1和第3检测电路的输出信号相比，减少了所述信号周期的1/3周期的误差成分；

第2运算电路，基于所述第2和第4检测电路的输出信号生成第2信号，该第2信号与所述旋转磁场的第2方向的成分的强度和所述旋转磁场的第4方向的成分的强度的双方具有对应关系，并且与所述第2和第4检测电路的输出信号相比，减少了所述信号周期的1/3周期的误差成分；以及

第3运算电路，基于所述第1和第2信号计算角度检测值，该角度检测值与所述基准位置中的所述旋转磁场的方向相对于所述基准方向形成的角度具有对应关系。

2.根据权利要求1所述的旋转磁场传感器，其特征在于，

所述第2检测电路的输出信号的相位相对于所述第1检测电路的输出信号的相位，相差所述信号周期的1/4的奇数倍，

所述第3检测电路的输出信号的相位相对于所述第1检测电路的输出信号的相位，相差除了所述信号周期的1/2的整数倍之外的所述信号周期的1/6的整数倍，

所述第4检测电路的输出信号的相位相对于所述第3检测电路的输出信号的相位，相差所述信号周期的1/4的奇数倍。

3.根据权利要求2所述的旋转磁场传感器，其特征在于，所述第1位置和所述第2位置针对所述旋转磁场的旋转方向是相同的位置，所述第1方向和所述第3方向针对所述旋转磁场的旋转方向，相差与除了所述信号周期的1/2的整数倍之外的所述信号周期的1/6的整数倍相当的空间上的角度。

4.根据权利要求2所述的旋转磁场传感器，其特征在于，所述第1位置和所述第2位置是相互不同的位置，所述第1位置和所述第2位置的偏差相当于除了所述信号周期的1/2的整数倍之外的所述信号周期的1/6的整数倍。

5.根据权利要求1所述的旋转磁场传感器，其特征在于，所述第1到第4检测电路作为所述至少1个磁检测元件分别包含串联连接的1对磁检测元件。

6.根据权利要求5所述的旋转磁场传感器，其特征在于，所述第1到第4检测电路分别具有惠斯登电桥电路，该惠斯登电桥电路包含：串联连接的第1对磁检测元件和串联连接的第2对磁检测元件。

7.根据权利要求5所述的旋转磁场传感器，其特征在于，所述磁检测元件是磁阻效应元件。

8.根据权利要求7所述的旋转磁场传感器，其特征在于，所述磁阻效应元件具有：磁化固定层，磁化方向被固定；自由层，对应于所述旋转磁场的方向而磁化方向变化；以及非磁性层，配置在所述磁化固定层和自由层之间。

9.根据权利要求8所述的旋转磁场传感器，其特征在于，

所述第2检测电路中的磁阻效应元件的磁化固定层的磁化方向与所述第1检测电路中的磁阻效应元件的磁化固定层的磁化方向正交，

所述第4检测电路中的磁阻效应元件的磁化固定层的磁化方向与所述第3检测电路中的磁阻效应元件的磁化固定层的磁化方向正交。