[发明专利]一种新型超浅结晶体硅太阳能电池

权利要求书

1.一种新型超浅结晶体硅太阳能电池制法，主要包括激光制绒，激光掺杂，镀钝化膜及透明导电极，激光制背电极等，其特征在于，

所述激光制绒包括激光制备绒面和化学溶液去除激光损伤层两个步骤，以制备出尺寸尽量精确符合光学原理的绒面结构；

所述激光掺杂是在掺杂气体气氛下以激光照射晶体硅表面以形成超浅结；

所述镀透明导电极是以真空镀透明导电极薄膜的方式形成前电极；

所述激光制背电极包括真空镀背电极材料及激光烧结背电场工艺，以免接触的方式制备其背电场。

2.根据权利要求1所述的一种新型超浅结晶体硅太阳能电池，其特征在于，其激光制绒采用连续式绿激光器。

3.根据权利要求1所述的一种新型超浅结晶体硅太阳能电池，其特征在于，去除工艺损伤层采用20％浓度的碱性溶液，在70-90℃下进行。

4.根据权利要求1所述的一种新型超浅结晶体硅太阳能电池，其特征在于，若基片选用P型基片，工艺气体为5％-10％的PH₃与H₂混合气体，以强激光照射晶体硅基片受光面形成超浅结。

5.根据权利要求4所述的一种新型超浅结晶体硅太阳能电池，其特征在于，若基片选用N型基片，工艺气体选择5％-10％的B₂H₆与H₂混合气体，以强激光照射晶体硅基片形成超浅结。

6.根据权利要求1所述的一种新型超浅结晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述激光制背电极中，采用真空蒸发或者真空溅射来设置背电极材料。

7.根据权利要求1及权利要求6所述的一种新型超浅结晶体硅太阳能电池，其特征在于，背面电极材料设置厚度在0.5-2.0μm。

8.根据权利要求1及权利要求7所述的一种新型超浅结晶体硅太阳能电池，其特征在于采用连续式激光器对基片背面进行800-1000℃高温烧结制背电场。

9.一种新型超浅结晶体硅太阳能电池结构，包括前电极、钝化层、绒面结构、PN结、背电极，其特征在于，

所述前电极设为透明薄膜导电极，使受光面无遮挡；

所述PN结设为超浅结，其掺杂深度设在30nm以下；

所述背电极为铝电极，其厚度设在0.5-2.0μm之间；

10.根据权利要求9所述的一种新型超浅结晶体硅太阳能电池结构，其特征在于，所述前透明导电极可以选用ITO、IFO、ZAO及复合型透明导电极。