[发明专利]一种晶体硅太阳能电池的表面制绒方法无效
申请号: | 201110251774.8 | 申请日: | 2011-08-29 |
公开(公告)号: | CN102299205A | 公开(公告)日: | 2011-12-28 |
发明(设计)人: | 万青;竺立强;佘鹏;龚骏 | 申请(专利权)人: | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;C30B33/10 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 陈英俊 |
地址: | 315201 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶体 太阳能电池 表面 方法 | ||
1.一种晶体硅太阳能电池的表面制绒方法,其特征是:采用雾化技术使碱性溶液雾化成粒径小于20微米的碱性悬浮液滴;将经过表面损伤层去除处理的晶体硅片进行加热,然后使所述的碱性悬浮液滴沉积在晶体硅片表面,形成一层离散分布的碱性液滴,所述的碱性液滴腐蚀其所覆盖的晶体硅片区域,在晶体硅片表面形成具有减反射特性的绒面结构。
2.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池的表面制绒方法,其特征是:所述的晶体硅片包括单晶硅片和多晶硅片。
3.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池的表面制绒方法,其特征是:所述的雾化技术包括超声波雾化、高压雾化、转盘雾化和气体雾化。
4.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池的表面制绒方法,其特征是:所述的碱性溶液是NaOH的水溶液或者KOH的水溶液。
5.根据权利要求4所述的一种晶体硅太阳能电池的表面制绒方法,其特征是:所述的NaOH的质量百分比浓度是1%~50%,所述的KOH的质量百分比浓度是1%~50%。
6.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池的表面制绒方法,其特征是:所述的晶体硅片的加热温度为70℃~100℃。
7.根据权利要求1至6中任一权利要求所述的一种晶体硅太阳能电池的表面制绒方法,其特征是:所述的晶体硅片放置在耐碱腐蚀的传送带上,利用传送带以一定的速率匀速经过该雾化区域,使悬浮液滴沉积在晶体硅片表面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的