[发明专利]具有介电帽层的无过孔薄膜电阻器

权利要求书

1.一种薄膜电阻器结构，包括：

在衬底之上的薄膜电阻器，所述薄膜电阻器具有小于200埃的厚度；以及

在所述薄膜电阻器之上的介电帽层，所述介电帽层具有小于600埃的厚度。

2.根据权利要求1的薄膜电阻器结构，其中所述薄膜电阻器是铬硅并且所述介电帽层是氮化硅。

3.根据权利要求1的薄膜电阻器结构，其中所述薄膜电阻器将第一互连和第二互连的侧壁电连接在一起，所述第一互连在所述衬底之上与所述第二互连隔开。

4.根据权利要求1的薄膜电阻器结构，其中所述薄膜电阻器具有在负的每摄氏度百万分之10和正的每摄氏度百万分之10范围内的电阻温度系数。

5.根据权利要求1的薄膜电阻器结构，其中所述薄膜电阻器层形成在所述衬底之上的介电层上。

6.根据权利要求5的薄膜电阻器，其中所述衬底之上的所述介电层是氮化硅。

7.根据权利要求5的薄膜电阻器，其中所述衬底之上的所述介电层是二氧化硅。

8.一种方法，包括：

在衬底之上形成与第二互连隔开的第一互连，所述形成包括：

在所述衬底之上形成第一导体；

在所述第一导体之上形成第二导体；以及

通过去除所述第一导体和所述第二导体的部分来限定所述第一互连和所述第二互连，并且分别形成所述第一互连和所述第二互连的第一侧壁和第二侧壁，所述第一侧壁和所述第二侧壁垂直于所述衬底；

在所述第一互连和所述第二互连之上形成电阻性层；

在所述电阻性层之上形成介电帽层；以及

形成带帽层的薄膜电阻器，所述带帽层的薄膜电阻器将所述第一互连和所述第二互连的所述第一导体电连接在一起，所述形成包括去除所述电阻性层和所述介电帽层的部分。

9.根据权利要求8的方法，其中所述带帽层的薄膜电阻器包括在所述第一互连和所述第二互连之间的所述衬底之上的第一部分以及垂直于所述第一部分的第二部分，所述第二部分分别邻接所述第一互连和所述第二互连的所述第一侧壁和所述第二侧壁。

10.根据权利要求8的方法，其中所述带帽层的薄膜电阻器的顶表面低于所述衬底的顶表面。

11.根据权利要求8的方法，其中形成所述电阻性层包括通过溅射来淀积铬硅膜。