[发明专利]开关电源集成电路无效
申请号: | 201110251283.3 | 申请日: | 2011-08-29 |
公开(公告)号: | CN102280995A | 公开(公告)日: | 2011-12-14 |
发明(设计)人: | 郜小茹;朱亚江;陈超 | 申请(专利权)人: | 上海新进半导体制造有限公司 |
主分类号: | H02M1/36 | 分类号: | H02M1/36 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 逯长明 |
地址: | 200241 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 开关电源 集成电路 | ||
1.一种开关电源集成电路,其特征在于,包括:
原边控制器;
与所述原边控制器相连的功率开关管;
输入端与外部电源相连,输出端与功率开关管基极相连的启动电阻;
其中,在该开关电源集成电路启动时,所述功率开关管将从启动电阻输出端流出的电流放大,然后提供给原边控制器。
2.根据权利要求1所述的集成电路,其特征在于,所述原边控制器包括:
第一NMOS管,所述第一NMOS管的栅极、源极和漏极分别与偏置电压、参考地和功率开关管的基极相连;
第二NMOS管,所述第二NMOS管的栅极和漏极分别与原边控制器的内部电源和功率开关管的发射极相连,其源极通过第一电阻与参考地相连;
第三NMOS管,所述第三NMOS管的栅极与原边控制器的内部电源相连,其源极与所述第一NMOS管和功率开关管的公共端相连;
与所述第三NMOS管的漏极相连的电流镜。
3.根据权利要求2所述的集成电路,其特征在于,所述第一NMOS管与第二NMOS管的衬底分别与自身的源极相连;所述第三NMOS管的衬底接地。
4.根据权利要求3所述的集成电路,其特征在于,所述电流镜包括:第一PMOS管和第二PMOS管;
其中,所述第一PMOS管的栅极和源极分别与所述第二PMOS管的栅极和源极相连;
所述第一PMOS管和第二PMOS管的源极均与其对应的衬底相连、并通过第一电容与参考地相连;
所述第一PMOS管的栅极和漏极相连并连接一电流源;
所述第二PMOS管的漏极与所述第三NMOS管的漏极相连。
5.根据权利要求4所述的集成电路,其特征在于,所述功率开关管的发射极通过一单向导通二极管与原边控制器中的第一电容相连。
6.根据权利要求1所述的集成电路,其特征在于,所述原边控制器还包括:设置在所述第三NMOS管的栅极与原边控制器的内部电源之间的电流放大电路。
7.根据权利要求6所述的集成电路,其特征在于,所述电流放大电路包括:
串接于所述原边控制器的内部电源与第三NMOS管的栅极之间的第二电阻;
一端与所述第二电阻和第三NMOS管栅极的公共端相连,另一端与一脉冲宽度调制信号相连的第二电容。
8.根据权利要求7所述的集成电路,其特征在于,所述第三NMOS管为对称、耐高压NMOS管。
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