[发明专利]影像感测晶片封装体及其形成方法

说明书

技术领域

本发明有关于晶片封装体，且特别是有关于影像感测晶片封装体。

背景技术

影像感测晶片封装体通常包括影像感测晶片及设置于其上的透明基板。透明基板可作为影像感测晶片封装体形成过程中的支撑，使制程得以顺利进行。

然而，透明基板或多或少都会吸收、折射及/或反射部分进入影像感测晶片的感测元件区的光线，因而影响了影像感测的品质。此外，由于电子产品持续轻薄短小化的趋势不变，透明基板的存在将影响影像感测晶片封装体所能缩小化的程度。再者，光学品质足够的透明基板造价亦不便宜。

因此，业界亟需能减少透明基板对光线感测的影响，且使影像感测晶片封装体的尺寸能进一步缩小的晶片封装技术。

发明内容

本发明一实施例提供一种影像感测晶片封装体的形成方法，包括：提供一基底，该基底定义有多个预定切割道，所述预定切割道于该基底划分出多个元件区，所述元件区中分别形成有至少一元件；将一支撑基板设置于该基底的一第一表面上；于该支撑基板与该基底之间形成至少一间隔层，该间隔层与所述预定切割道重叠；于该基底的一第二表面上形成一封装层；于该基底的该第二表面上形成多个导电结构，所述导电结构分别电性连接至对应的其中一所述元件区中的对应的该元件；以及进行一切割制程，包括沿着所述预定切割道切割该支撑基板、该间隔层及该基底，使该支撑基板自该基底脱离，并使该基底分离成多个彼此分离的影像感测晶片封装体。

本发明所述的影像感测晶片封装体的形成方法，所述预定切割道包括多个平行于一第一方向的第一方向预定切割道及多个平行于一第二方向的第二方向预定切割道，其中该第一方向垂直于该第二方向。

本发明所述的影像感测晶片封装体的形成方法，该切割制程还包括：沿着所述第一方向预定切割道自该支撑基板的一表面切割移除部分的该支撑基板及覆盖于所述第一方向预定切割道上的部分的间隔层；在切割移除部分的该支撑基板之后，于该支撑基板的该表面上形成一第一固定层；以及沿着所述第二方向预定切割道自该支撑基板的该表面切割移除部分的该第一固定层、部分的该支撑基板及覆盖于所述第二方向预定切割道上的部分的间隔层，使得该支撑基板及该第一固定层自该基底脱离。

本发明所述的影像感测晶片封装体的形成方法，还包括在进行该切割制程之前，于该支撑基板的该表面上形成一第二固定层。

本发明所述的影像感测晶片封装体的形成方法，还包括在进行该切割制程之前，于该基底的该第二表面上设置一第二支撑基板。

本发明所述的影像感测晶片封装体的形成方法，在使得该支撑基板及该第一固定层自该基底脱离之后，还包括自该基底的该第一表面沿着所述第一方向预定切割道及所述第二方向预定切道切割移除部分的该基底而使该基底分离成多个彼此分离的影像感测晶片封装体。

本发明所述的影像感测晶片封装体的形成方法，还包括移除该第二支撑基板。

本发明所述的影像感测晶片封装体的形成方法，在移除该第二支撑基板之前，还包括于分离的所述影像感测晶片封装体之上贴覆一薄膜框载体。

本发明所述的影像感测晶片封装体的形成方法，在形成所述导电结构之前，还包括自该基底的该第二表面将该基底薄化至一预定厚度。

本发明所述的影像感测晶片封装体的形成方法，还包括于该基底中形成多个穿基底导电结构，所述穿基底导电结构分别电性连接对应的所述元件与对应的所述导电结构。

本发明所述的影像感测晶片封装体的形成方法，还包括分别于所述元件区中的所述元件上设置一光学构件。

本发明一实施例提供一种影像感测晶片封装体，包括：一影像感测晶片，具有一上表面及一下表面，且具有一感光元件，设置于该上表面处；一光学构件，设置于该感光元件之上，该光学构件具有一受光表面；一导电层，自该影像感测晶片的该下表面朝该上表面延伸，且电性连接该感光元件；以及一封装层，形成于该影像感测晶片的该下表面及该导电层之上，其中该受光表面至该封装层之一底表面的一最短距离不大于130微米。

本发明所述的影像感测晶片封装体，该光学构件的该受光表面上不包括支撑基板。

本发明所述的影像感测晶片封装体，该光学构件包括一微镜片。

本发明所述的影像感测晶片封装体，还包括至少一焊球，该焊球设置于该影像感测晶片的该下表面之上，且电性连接该导电层。

本发明所述的影像感测晶片封装体，还包括一孔洞，该孔洞自该影像感测晶片的该下表面朝该上表面延伸，且部分的该导电层位于该孔洞之中。