[发明专利]一种新的硅化物和金属前介质集成工艺及该形成的结构

权利要求书

1.一种新的硅化物和金属前介质集成工艺，其特征在于，包括以下顺序步骤：

步骤1：在半导体基板及半导体基板栅极上先后沉积一层氧化物层和第一氮化硅层；对第一氮化硅层进行干法刻蚀，在栅极外形成侧墙；对栅极两侧的半导体基板进行N⁺/P⁺离子注入形成源区和漏区；

步骤2：剥离暴露在半导体基板上的氧化层，在半导体基板、栅极及栅极侧墙上覆盖第一高应力氮化硅薄膜层，采用光刻和刻蚀除去源漏区的第一高应力氮化硅薄膜层；

步骤3：提高半导体基板上源漏区位置，提高的同时在源漏区掺杂硼，并对半导体的上表面进行平整化处理；

步骤4：对半导体基板上硅进行生成金属硅化物处理，处理完成后在半导体上表面先后沉积第二高压力氮化硅薄膜层和第二氧化物层；

步骤5：对第二高压力氮化硅薄膜层和第二氧化物层进行光刻和刻蚀形成开口，所述开口内暴露出金属硅化物和栅极侧墙，在所述开口内形成钨栓。

2.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，所述工艺中步骤1的干法刻蚀采用离子轰击。

3.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，所述提高源漏区位置采用外延硅或多晶硅淀积方法。

4.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，所述平整化处理采用化学机械研磨。

5.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，所述第二氧化物层采用HDP PSG/oxide或是HARP oxide沉积。

6.一种通过权利要求1所述工艺形成的结构，其特征在于，

一半导体基板及基板上设置的栅极；

一硅层设置在半导体基板上，所述硅层上设有通孔，所述栅极以及其侧墙设置在该通孔之中，所述栅极侧墙的高度超过栅极和硅层，低于栅极侧墙的上平面设有金属硅化物层；

一层第二高应力氮化硅薄膜层设置在金属硅化物层上，一层第二氧化物层设置在第二高应力氮化硅薄膜层上，所述第二高应力氮化硅薄膜层和第二氧化物层上设有通孔，所述通孔内暴露出部分金属硅化物层和栅极的侧墙，在所述通孔内设有钨栓，所述钨栓与金属硅化物层接触。