[发明专利]确定光刻工艺窗口的方法无效
| 申请号： | 201110250279.5 | 申请日： | 2011-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN102436149A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 毛智彪;王剑;戴韫青 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 确定 光刻 工艺 窗口 方法 | ||
1.一种确定光刻工艺窗口的方法，即一种确定可用于生产的曝光量和离焦量范围的方法，其特征在于：其工艺步骤如下：
1）选定要量测的孤立线和密集线；
2）制作量测柏桑（Bossung）曲线的硅片；
3）用扫描式电子显微镜分别量测在不同曝光区内的选定的光刻胶线条的顶部和底部的线条线宽；
4）用光刻胶底部的线条线宽制作柏桑（Bossung）曲线；
5）计算在不同曝光区内的选定的光刻胶线条顶部和底部的线宽比；
6）根据可接受的底部线条线宽和光刻胶线条顶部和底部的线宽比的标准确定可用于生产的曝光量和离焦量范围。
2.如权利要求1所述的一种确定光刻工艺窗口的方法，其特征在于：所述步骤（1）中量测的孤立线和密集线在芯片主图形区内选定。
3.如权利要求1所述的一种确定光刻工艺窗口的方法，其特征在于：所述步骤（1）中量测的孤立线和密集线在监测图形区内选定。
4.如权利要求1所述的一种确定光刻工艺窗口的方法，其特征在于：所述步骤（3）中光刻胶线条的线宽尺寸为当层光刻工艺的特征尺寸。
5.如权利要求1所述的一种确定光刻工艺窗口的方法，其特征在于：所述步骤（4）中柏桑（Bossung）曲线的制作方法是通过在同一片硅片的不同曝光区设置不同的曝光量和离焦量，曝光和显影后，用扫描式电子显微镜量测各区域的线条线宽。
6.如权利要求1所述的一种确定光刻工艺窗口的方法，其特征在于：所述步骤（5）中光刻胶线条顶和底线的线宽比，其量测是用扫描式电子显微镜对步骤（3）中所述的不同曝光区的光刻胶线条的顶部和底部分别量测线条线宽，并计算线宽比。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110250279.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种热工电量型能效数据采集终端
- 下一篇：成对轴承预紧力测试装置
