[发明专利]一种CMP机台内置清洗结构及方法有效

专利信息
申请号: 201110250265.3 申请日: 2011-08-29
公开(公告)号: CN102441843A 公开(公告)日: 2012-05-09
发明(设计)人: 白英英;张明华;张守龙;陈玉文 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: B24B37/34 分类号: B24B37/34;B24B55/00;H01L21/67;H01L21/02;B08B3/12;B08B3/02
代理公司: 上海新天专利代理有限公司 31213 代理人: 王敏杰
地址: 201210 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 cmp 机台 内置 清洗 结构 方法
【权利要求书】:

1.一种CMP机台内置清洗结构,其特征在于,包括:

设置在CMP机台内的超声波清洗装置、喷雾清洗装置和干燥装置,超声波清洗装置通过喷雾清洗装置与干燥装置连接;

其中,喷雾清洗装置包含有设置在喷雾清洗室两侧且部分设置在其内的清洗剂喷雾装置,两可旋转固定装置分别对应两清洗剂喷雾装置位置设置在喷雾清洗室内,一部分设置在喷雾清洗室内的惰性气体喷气装置设置在两可旋转固定装置之间。

2.如权利要求1所述的CMP机台内置清洗结构,其特征在于,超声波清洗装置包含有同时清洗两片晶圆的装置。

3.如权利要求1所述的CMP机台内置清洗结构,其特征在于,清洗剂喷雾装置包含有设置在喷雾清洗室内的可上下移动的喷雾喷头,设置在喷雾清洗室外的清洗剂入口和气体入口。

4.如权利要求1所述的CMP机台内置清洗结构,其特征在于,惰性气体喷气装置包含有设置在喷雾清洗室内的双向喷头和设置在喷雾清洗室外的惰性气体进气口。

5.如权利要求1所述的CMP机台内置清洗结构,其特征在于,超声波清洗装置与晶圆传递装置连接。

6.一种CMP机台内置清洗方法,其特征在于,包括以下步骤:

步骤S1:在CMP机台内,将抛光后的两片晶圆经传递装置同时传送至同一超声波清洗室内,采用传统工艺利用清洗剂同时清洗两片晶圆;

步骤S2:将清洗后的两片晶圆分别转移至第一道喷雾清洗室的两旋转固定装置上,利用可上下移动的两喷雾喷头分别向两片晶圆喷洒喷雾清洗剂,同时位于两旋转固定装置中间位置的双向喷头同时向两片晶圆喷洒惰性气体;

步骤S3:将经过喷雾清洗后的两片晶圆转移至第二道喷雾清洗室的两旋转固定装置上,采用相同的条件及步骤,再次对两片晶圆进行喷雾清洗后,转移至干燥室进行干燥处理。

7.如权利要求6所述的CMP机台内置清洗方法,其特征在于,超声波清洗室、干燥室和第一、二道喷雾清洗室均设置在CMP机台内。

8.如权利要求6所述的CMP机台内置清洗方法,其特征在于,超声波清洗内设置有同时清洗两片晶圆的装置。

9.如权利要求6所述的CMP机台内置清洗方法,其特征在于,喷雾清洗室外的两侧设置有清洗剂入口、气体入口和惰性气体进气口。

10.如权利要求6所述的CMP机台内置清洗方法,其特征在于,清洗剂由去离子水和氨水按一定比例混合而成。

11.如权利要求6所述的CMP机台内置清洗方法,其特征在于,喷雾清洗剂包含有氨水、氢氟酸、去离子水和双氧水。

12.如权利要求6所述的CMP机台内置清洗方法,其特征在于,喷雾喷头通过气体入口通入的含有氮气的惰性气体雾化喷雾清洗剂。

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