[发明专利]压电陶瓷变压器谐振频率跟踪电路

权利要求书

1.一种压电陶瓷变压器谐振频率跟踪电路，包括，压电陶瓷，与一谐振电感的一端连接；一电流开关，与谐振电感的另一端连接，用于将电源输入的直流电压转换成高频脉冲电流，其特征在于，一采样电路，用于对压电陶瓷的输入信号或输出信号进行采样；一锁相环电路与所述采样电路的输出端连接，用于校正采样的所述信号，并将校正后的信号作为反馈信号输出给所述电流开关，以控制所述电流开关输出的脉冲电流频率。

2.根据权利要求1所述的跟踪电路，其特征在于，所述锁相环电路通过一栅极驱动器与所述电流开关连接，所述栅极驱动器还与一控制电路连接，所述控制电路用于控制电流开关输出的脉冲电流的宽度，所述栅极驱动器能够将所述控制电路输入的信号进行放大，并将所述锁相环电路输出的所述经校正后的所述输入信号或输出信号进行放大，以驱动所述电流开关。

3.根据权利要求1所述的跟踪电路，其特征在于，电流开关的电路结构具体包括：电流开关的输入端连接第一功率MOS管和第二功率MOS管的栅极，第一功率MOS管的源极接电源VDD极，所述第一功率MOS管的漏极接第二功率MOS管的漏极和电流开关的输出端，第二功率MOS管的源极接接过流保护采样电阻，过流保护采样电阻的另一端接地。

4.根据权利要求1所述的跟踪电路，其特征在于，采样电路的电路结构包括：采样电路的输入端连接第八电阻，第八电阻的另一端连接第九电阻和第三运算放大器的正向输入端，第九电阻的另一端接地，第三运算放大器的反向输入端连接参考电压源的正极，参考电压源的负极接地，第三运算放大器的输出端连接光耦的发光二极管阳极，发光二极管阴极接地，光耦的光电三极管发射极接地，集电集接采样电路的输出端。

5.根据权利要求1所述的跟踪电路，其特征在于，还包括一检测电感，与所述谐振电感用互感耦合，用于检测谐振回路的输入电压信号，并传送给采样电路；所述采样电路的采样输入端与所述检测电感连接。

6.根据权利要求1～5任一项所述的跟踪电路，其特征在于，所述锁相环电路的结构包括：一鉴相器，其输入端与所述采样电路的输出端连接；一环路滤波器，其输入端与所述鉴相器的输出端连接；一压控振荡器，其输入端与所述环路滤波器的输出端连接，其输出端同时连接栅极驱动器的反馈输入端和鉴相器的反馈输入端；一费斯电路，其与所述压控振荡器的输出端连接，所述费斯电路的输出端所述鉴相器的反馈输入端连接，所述费斯电路用于对压控振荡器输出的反馈信号进行移相

7.根据权利要求6所述的跟踪电路，其特征在于，鉴相器的电路结构包括：所述鉴相器的第一输入端连接第一MOS管和第二MOS管的栅极，第一MOS管的源极连接接电源VDD极，第二MOS管的源极连接电源VSS极，第二MOS管的漏极分别与第一MOS管的漏极、第三MOS管栅极、第四MOS管的栅极、第五MOS管的漏极和第六MOS管的漏极连接；所述鉴相器的第二输入端连接第七MOS管、第八MOS管和第六MOS管的栅极，第七MOS管的源极接电源VDD极，第八MOS管的源极接电源VSS极，第七MOS管的漏极连接第八MOS管的漏极、连接第五MOS管的栅极、第九MOS管的栅极和第四MOS管的源极，第九MOS管的源极接电源VDD极，第九MOS管的漏极连接第三MOS管的漏极，第三MOS管的源极连接第四MOS管的漏极、第五MOS管的源极、第六MOS管的源极、第十MOS管的栅极和第十一MOS管的栅极，第十MOS管的源极连接电源VDD极，第十一MOS管的源极连接电源VSS极，第十MOS管的漏极连接第十一MOS管的漏极和所述鉴相器的输出端。