[发明专利]含金属的粒子集合体、含金属的粒子复合构件、其制造方法及高频设备装置无效
申请号: | 201110248631.1 | 申请日: | 2011-08-26 |
公开(公告)号: | CN102385967A | 公开(公告)日: | 2012-03-21 |
发明(设计)人: | 米津麻纪;末纲伦浩;原田耕一;末永诚一;堀田康之;高桥利英;江口朋子;山崎六月 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01F1/24 | 分类号: | H01F1/24;B22F1/02 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 周欣;陈建全 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 金属 粒子 集合体 复合 构件 制造 方法 高频 设备 装置 | ||
1.一种含金属的粒子集合体,其具有多个芯壳型粒子,所述芯壳型粒子具有:
芯部,其含有选自由Fe、Co、Ni构成的第1组中的至少1种磁性金属元素和选自由Mg、Al、Si、Ca、Zr、Ti、Hf、Zn、Mn、稀土类元素、Ba及Sr构成的第2组中的至少1种金属元素;
壳层,其被覆所述芯部的至少一部分,具有含有在所述芯部中所含的至少1种所述第2组的金属元素的氧化物层和含碳材料层。
2.根据权利要求1所述的含金属的粒子集合体,其中,所述含金属的粒子集合体中所含的氧相对于所述粒子集合体为0.5质量%以上且10质量%以下。
3.根据权利要求1所述的含金属的粒子集合体,其中,所述含碳材料层为烃气的分解产物。
4.根据权利要求1所述的含金属的粒子集合体,其中,所述含碳材料层的烃气化温度在氢中进行加热时为300℃以上且650℃以下。
5.根据权利要求1所述的含金属的粒子集合体,其中,所述含碳材料层为有机化合物。
6.根据权利要求5所述的含金属的粒子集合体,其中,所述含金属的粒子集合体中所含的氧量相对于所述粒子集合体的量为0.5质量%以上且10质量%以下。
7.根据权利要求5所述的含金属的粒子集合体,其中,所述有机化合物为包含含有碳、氢、氧、氮中的任一者的主链的有机聚合物类或有机低聚物类。
8.根据权利要求7所述的含金属的粒子集合体,其中,由所述有机化合物形成的含碳材料层的透氧系数为:透氧系数≥1×10-17[cm3(STP)·cm/cm2·s·Pa]。
9.根据权利要求1所述的含金属的粒子集合体,其中,所述含金属的粒子集合体还具有氧化物粒子,所述氧化物粒子含有在所述芯部中所含的至少1种属于所述第2组的元素,
所述氧化物粒子中的属于所述第2组的元素相对于属于所述第1组的元素的原子数比大于所述氧化物层中的属于所述第2组的元素相对于属于所述第1组的元素的原子数比。
10.一种含金属的粒子集合体的制造方法,其具备下述工序:
由选自由Fe、Co、Ni构成的第1组中的至少1种磁性金属元素和选自由Mg、Al、Si、Ca、Zr、Ti、Hf、Zn、Mn、稀土类元素、Ba及Sr构成的第2组中的至少1种金属元素形成合金即芯部的工序;
在所述合金表面形成含碳材料层,形成碳被覆的含金属的粒子的工序;
将所述碳被覆的含金属的粒子在含氧气氛下氧化的工序。
11.根据权利要求10所述的含金属的粒子集合体的制造方法,其中,所述芯部的形成工序为将选自由Fe、Co、Ni构成的第1组中的至少1种磁性金属元素和选自由Mg、Al、Si、Ca、Zr、Ti、Hf、Zn、Mn、稀土类元素、Ba及Sr构成的第2组中的至少1种金属元素投入至等离子体中,形成合金即芯部的工序。
12.根据权利要求10所述的含金属的粒子集合体的制造方法,其中,所述含碳材料层的形成工序为在含碳气氛下对所述合金表面进行碳被覆的工序。
13.根据权利要求10所述的含金属的粒子集合体的制造方法,其中,所述含碳材料层的形成工序为在所述含金属的粒子的表面被覆有机化合物的工序。
14.根据权利要求10所述的含金属的粒子集合体的制造方法,其中,在将所述碳被覆的含金属的粒子氧化的工序之后,还具备除去所述含碳材料层的工序。
15.根据权利要求14所述的含金属的粒子集合体的制造方法,其中,在所述氧化工序与含碳材料层除去工序之间包含下述工序:在含有氧原子的气体气氛中,向所述含金属的粒子集合体照射选自等离子体、电子束、离子束中的至少一种能量线,然后通过氢热处理或氢等离子体除去所述含碳材料层。
16.根据权利要求15所述的含金属的粒子集合体的制造方法,其中,所述含有氧原子的气体气氛的氧分压为10Pa以上且103Pa以下。
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