[发明专利]晶圆清洗装置及晶圆清洗方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，特别涉及晶圆清洗装置及晶圆清洗方法。

背景技术

在半导体工艺中，晶圆表面的清洁度是影响半导体器件可靠性的重要因素之一。在常用的半导体工艺中，例如：沉积、等离子体刻蚀、旋涂光刻胶、光刻、电镀等等，都有可能会在晶圆表面引入污染和/或颗粒，导致晶圆表面的清洁度下降，使得制造的半导体器件良率低。

因此，如何清除晶圆表面的污染和异物质颗粒一直是半导体技术领域的研究热点，现有通常会在执行一道半导体工艺后，采用洗刷清洁设备(Scrubber Clean Tool)对晶圆进行清洁，用于去除可能形成在晶圆表面的污染和/或颗粒，请参考图1，所述洗刷清洁设备包括：托盘10，所述托盘10用于承载待清洗晶圆12，所述托盘10尺寸大于所述待清洗晶圆12尺寸，所述待清洗晶圆12放置于托盘10表面且所述待清洗晶圆12中心与所述托盘10中心对准，所述托盘10设置有驱动装置(未示出)，从而能够在驱动装置的驱动下围绕托盘10的中心旋转；设置于托盘10上方的喷嘴11，所述喷嘴11在清洗待清洗晶圆时喷射清洗剂至晶圆表面。在公告号为CN201079923Y的中国专利中还能发现更多有关晶圆清洗的信息。

但是，经过现有技术清洗的晶圆有时会出现污染很严重的现象。

发明内容

本发明解决的问题是清洗污染彻底的晶圆清洗装置及清洗效果佳的晶圆清洗方法。

为解决上述问题，本发明提供一种晶圆清洗装置，包括：托盘，所述托盘用于承载待清洗晶圆；设置于托盘上方的喷嘴，所述喷嘴在清洗待清洗晶圆时喷射清洗剂至晶圆表面；设置于托盘上方的矫正装置，所述矫正装置用于监测所述喷嘴喷射至所述晶圆表面的清洗剂的轨迹。

可选的，所述矫正装置包括：设置于托盘上方的第一传感器，与第一传感器对应设置的第一接受器；设置于托盘上方的第二传感器，与第二传感器对应设置的第二接受器。

可选的，第一传感器发射第一传感束至所述第一接受器，第二传感器发射第二传感束至所述第二接受器。

可选的，第一传感束与第二传感束在待清洗晶圆中心位置交叉。

可选的，所述第一接受器和第二接受器信号连接数据处理器。

可选的，所述矫正装置为图像接受处理装置。

可选的，所述图像接受处理装置包括：图像拍摄装置，所述图像拍摄装置用于获取所述清洗液的轨迹的图像信息；接受图像拍摄装置拍摄的图像数据的图像处理装置，所述图像处理装置内置有设定的清洗液的轨迹的图像信息，当获取的所述清洗液的轨迹的图像信息传输至图像处理装置，所述图像处理装置将设定的图像信息与获取的图像信息进行比较，若比较结果一致，则继续进行清洗，若比较结果不一致，则控制警报器发出警报。

本发明还提供一种晶圆清洗方法，包括：提供晶圆清洗装置，所述晶圆清洗装置具有托盘和喷嘴；所述晶圆清洗装置具有设置于托盘上方的第一传感器，与第一传感器对应设置的第一接受器；设置于托盘上方的第二传感器，与第二传感器对应设置的第二接受器；第一传感器发射第一传感束至所述第一接受器，第二传感器发射第二传感束至所述第二接受器，第一传感束与第二传感束在托盘中心位置交叉；将待清洗晶圆放置于托盘表面，所述待清洗晶圆中心与托盘中心重叠；在清洗晶圆过程中，根据第一传感束与喷嘴喷出的清洗液轨迹重叠时间、第二传感束与喷嘴喷出的清洗液轨迹重叠时间来判断所述喷嘴位置是否要调整。

可选的，所述判断包括：若第一传感束与喷嘴喷出的清洗液轨迹重叠时间与第二传感束与喷嘴喷出的清洗液轨迹重叠时间相同，则所述喷嘴位置无需调整；若第一传感束与喷嘴喷出的清洗液轨迹重叠时间与第二传感束与喷嘴喷出的清洗液轨迹重叠时间不相同，则调整所述喷嘴位置。

与现有技术相比，本发明具有以下优点：本发明提供的晶圆清洗装置在托盘上方设置所述矫正装置，所述矫正装置用于监测所述喷嘴喷射至所述晶圆表面的清洗剂的轨迹，当所述喷嘴喷射至所述晶圆表面的清洗剂的轨迹与晶圆的直径不匹配时，所述矫正装置发出警报，通知工作人员调整所述喷嘴的位置，从而避免待清洗晶圆清洗不彻底。

本发明的清洗方法能够及时准确的确定喷嘴位置是否正确，避免晶圆清洗不彻底，采用本发明提供的晶圆清洗方法清洗的晶圆污染小。

附图说明

图1是现有的晶圆清洗装置示意图；

图2为采用现有晶圆清洗装置清洗后的晶圆表面颗粒污染数据示意图；

图3为现有晶圆清洗装置喷嘴喷射清洗液轨迹示意图；

图4为现有晶圆清洗装置喷嘴位置偏移时喷射清洗液轨迹示意图；