[发明专利]复位电路

说明书

技术领域

本发明涉及集成电路技术领域，特别涉及一种新型的复位电路。

背景技术

如今，集成电路发展十分迅速，而对于集成电路特别是数字集成电路来说，复位是其中必不可少的功能之一。复位电路的作用在于使集成电路初始化，以此消除由于集成电路上电或电源波动等原因而造成的电路混乱状态。

现有的复位电路通常由分压单元和电压检测单元组成，如图1所示，分压单元由电阻R1和R2组成，分得的电压电压检测单元由电阻R3和NMOS管MN1组成。该复位电路的工作原理为：开始上电时，电源电压Vdd比较低，分压点电压v1也比较低，并且低于NMOS管MN1的阈值电压，那么NMOS管MN1关闭，此时v2点电压为高，经过反相器INV1，输出的复位信号Rst_b为低电平；随着电源电压Vdd的升高，分压点电压v1也逐步升高，当v1大于NMOS管MN1的阈值电压后，NMOS管MN1导通，这时NMOS管MN1的下拉电流能力大于R3的上拉电流的能力，v2点电压变低，经过反相器INV1后，输出的复位信号Rst_b为高电平。但是，图1所示的复位电路会占用非常大的芯片面积，已不能适应集成电路的发展趋势，为此，出现了图2所示的复位电路。图2作为图1的技术改进，分压单元中的电阻由NMOS管代替以节省芯片面积。图2所示的复位电路的工作原理与图1的工作原理相类似，在此不再赘述。

但是，图1和图2所示的复位电路都易受到工艺和温度的影响。可知的，MOS管器件的阈值电压会受到工艺和温度的影响，从而产生一定偏差。以图1所示的复位电路为例，假定NMOS管MN1的阈值电压受工艺和温度的影响而偏离正常值Δv，那么复位电路只有在复位电压阈值偏移至时，才会输出复位信号Rst_b。由此可知，在图1所示的复位电路中，复位电压阈值受工艺和温度的影响很大。同理，图2中的复位电路也存在以上问题。

综上，现有技术的复位电路中，工艺和温度对复位电压阈值的影响很大，使复位信号产生时的电源电压偏低或者偏高，不能对集成电路芯片有效复位。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种复位电路，以有效地减小工艺和温度对复位电压阈值的影响。

为解决上述问题，本发明提供一种复位电路，包括电压分压单元、电压检测单元和输出单元，

所述电压分压单元包括第一PMOS管和第一NMOS管，所述第一NMOS管的阈值电压小于所述第一PMOS管阈值电压的绝对值，所述第一PMOS管的栅极接地，源极接电源，漏极连接第一NMOS管的漏极，所述第一NMOS管的栅极和漏极相连，源极接地，所述第一NMOS管的漏极输出第一控制信号；

所述电压检测单元包括第一CMOS反相器，所述第一CMOS反相器接收所述第一控制信号，并输出第二控制信号；

所述输出单元包括第一反相器，所述第一反相器接收所述第二控制信号，并输出第一复位信号。

可选的，所述的复位电路还包括缓冲单元，所述缓冲单元适于接收所述第一复位信号，并输出第二复位信号。

可选的，所述复位电路还包括反馈单元，所述反馈单元，适于检测所述输出单元输出的第一复位信号，并根据所述第一复位信号调节所述第一CMOS反相器的阈值电压。

可选的，所述反馈单元包括第一电子开关和第二NMOS管，所述第一电子开关，包括连接所述电压检测单元输出端的第一端和连接所述第二NMOS管漏极的第二端，以及控制端，所述控制端接收所述第一复位信号，并在第一复位信号为高电平时，导通所述第一端和所述第二端；所述第二NMOS管的源极接地，栅极连接所述电压检测单元的输入端。

可选的，所述第一电子开关为第三NMOS管，所述第三NMOS管的栅极连接所述输出单元的输出端，漏极连接所述电压检测单元的输出端，源极连接所述第二NMOS管的漏极。

可选的，所述反馈单元包括第二电子开关和第二PMOS管，所述第二电子开关，包括连接所述电压检测单元输出端的第一端和连接所述第二PMOS管漏极的第二端，以及控制端，所述控制端接收所述输出单元的输出信号，并在所述输出信号为低电平时，导通所述第一端和所述第二端；所述第二PMOS管的源极接电源，栅极连接所述电压检测单元的输入端。

可选的，所述第二电子开关为第三PMOS管，所述第三PMOS管的栅极连接所述输出单元的输出端，漏极接所述电压检测单元的输出端，源极接所述第二PMOS管的漏极。

与现有技术相比，本技术方案公开的复位电路具有以下优点：